- Trang Chủ
- Vật lý
- Giáo trình hướng dẫn phân tích các loại diode phân cực trong bán kì âm tín hiệu p7
Xem mẫu
- . iáo trình Linh Kiện Điện Tử
G
IC (mA)
8
7
6
5
4
Q IE = 3mA
3
2
1
VOC
7,5V
0 VCB(Volt)
2 4 6 8 10 12
Hình 22
* Khi RC = 3 KΩ (RC tăng)
IC # IE =3mA
VCB = VCC - RC.IC = 12 - 3x3 = 3V
V 12
I SH = CC = = 4mA
RC 3
IC (mA)
4
IE = 3mA
Q
3
2
1 VOC
0 VCB(Volt)
2 4 6 8 10 12
Hình 23
Như vậy, khi giữ các nguồn phân cực VCC, VEE và RE cố định, thay đổi RC, điểm
điều hành Q sẽ chạy trên đặc tuyến tương ứng với IE = 3mA. Khi RC tăng thì VCB giảm và
ngược lại.
2. Ảnh hưởng của nguồn phân cực nối thu nền VCC.
Nếu giữ IE là hằng số (tức VEE và RE là hằng số), RC là hằng số, thay đổi nguồn VCC,
ta thấy: Khi VCC tăng thì VCB tăng, khi VCC giảm thì VCB giảm.
Trang 76 Biên soạn: Trương Văn Tám
- . iáo trình Linh Kiện Điện Tử
G
Thí dụ:
RE = 100Ω RC = 2KΩ IC (mA) VCC = 14V
+ VCC = 12V
7
IC
VCC = 10V
6
VCC: 10V
5
12V
VEE = 1V
4
14V
Q1
Q1 IE =3 (mA)
3
Q2
2
1 VCB
0 2 4 6 8 10 12 14
Hình 24
3. Ảnh hưởng của IE lên điểm điều hành:
Nếu ta giữ RC và VCC cố định, thay đổi IE (tức thay đổi RE hoặc VEE) ta thấy: khi IE
tăng thì VCB giảm (tức IC tăng), khi IC giảm thì VCB tăng (tức IC giảm).
VCC
IC (mA) I C ( sat ) = I SH =
RC
7
IE =6 (mA)
6
Q2 Tăng
IE =5 (mA)
5
Q1 IE =4 (mA)
4
Q IE =3 (mA)
3
Q3 IE =2 (mA) Giảm
2
Q4 IE =1 (mA)
1
VCB
ICBO
0 2 4 6 8 10 12 14
Hình 25
Khi IE tăng thì IC tăng theo và tiến dần đến trị ISH. Transistor dần dần đi vào vùng
bảo hoà. Dòng tối đa của IC, tức dòng bảo hoà gọi là IC(sat). Như vậy:
VCC
I C (sat ) = I SH =
RC
Lúc này, VCB giảm rất nhỏ và xấp xĩ bằng 0V (thật sự là 0,2V).
Khi IE giảm thì IC giảm theo. Transistor đi dần vào vùng ngưng, VCB lúc đó gọi là VCB(off)
và IC = ICBO.
Trang 77 Biên soạn: Trương Văn Tám
- .Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
Như vậy, VCB(off) = VOC = VCC.
Vùng bảo hoà và vùng ngưng là vùng hoạt động không tuyến tính của BJT.
Đối với mạch cực phát chung, ta cũng có thể khảo sát tương tự.
VIII. KIỂU MẪU MỘT CHIỀU CỦA BJT.
Qua khảo sát ở phần trước, người ta có thể dùng kiểu mẫu gần đúng sau đây của
transistor trong mạch điện một chiều:
E C E C
IC=αDCIE≈IE
IE
≈ αDCIE
B
Transistor N P N
B
E C
E C
IC=αDCIE≈IE
IE
≈ αDCIE
B
Transistor PNP
B
Hình 26
Tuy nhiên, khi tính các thành phần dòng điện và điện thế một chiều của transistor,
người ta thường tính trực tiếp trên mạch điện với chú ý là điện thế thềm VBE khi phân cực
thuận là 0,3V đối với Ge và 0,7V đối với Si.
Thí dụ 1: tính IE, IC và VCB của mạch cực nền chung như sau:
Trang 78 Biên soạn: Trương Văn Tám
- Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
.
Si
RE RC
- +
IE IC
0,7V VCB
+-
VEE VCC
Si
RE RC
-
+
IE IC
0,7V VCB
-+
VEE VCC
Hình 27
Ta dùng 3 bước:
VEE − 0,7
; IC # αDC # IE
Mạch nền phát (ngõ vào): I E =
RE
Áp dụng định luật kirchoff (ngõ ra), ta có:
− Với transistor NPN: VCB = VCC - RC.IC; VCB > 0
− Với transistor PNP: VCB = -VCC + RC.IC; VCB
- .Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
− Với transistor NPN: VCE = VCC -RC IC >0
− Với transistor PNP: VCE = -VCC + RC.IC
nguon tai.lieu . vn
