Xem mẫu
- V t li u ceramic tân ti a bin
khí cho máy bay th h m i
Nguy
H c vi n Công ngh Qu c gia - ng
Kushiro, Nh t B n
TÓM T T:
Ceramic là v t li ng th r n) c a các nguyên t kim
lo i ho c phi kim có liên k t ion ho c liên k t hóa tr . Có l ch s
phát tri i d ng các s n ph m g m s
th n nay v t li c phát tri n thêm nhi u
c bi nóng ch y c
Tác gi : PGS.TS. Nguy C), kh c t t, siêu c ng và ch ng mài mòn.
Nhi u lo i ceramic còn có kh n nhi t t t và có bandgap
công tác: H c vi n Công ngh Qu c r ng nên thích h p làm các linh ki n t , bán d n. V i s phát
gia - ng Kushiro, tri n c a công ngh nano, v t li u composite c a ceramic v i các
Nh t B n
h t nano có th c nh ng tính ch t c a plastic ho c
Email: son@kushiro-ct.ac.jp kim lo i, nh th c s pd thay th
các v t li u này trong các ng d ng công ngh cao y ghép
TS. Nguy t nghi p K i
-máy bay, k thu t siêu d n... Nh t B n là m t
i h ng, Th c s và trong nh u trên th gi i v phát tri n các v t li u
Ti n s t i h c Công ngh Nagaoka. ceramic tân ti 2), silic nitrua (Si3N4), silic
Hi n nay, TS. Nguy cacbua (SiC)... Bài vi t này gi i thi u tình hình phát tri n c a v t
(Junior Associate Professor) t i H c li u ceramic tân ti n Nh t B i chi u so sánh v c
vi n Công ngh Qu c gia - ng và khu v c phát tri , châu Âu, Trung Qu c. Nh ng
Kushiro, Nh t B n. Nhóm nghiên c u c a TS.
t p trung vào: 1) v t li u tân ti n v i kh
ng phát tri c th gi i quan tâm c a v t li u ceramic
lành cho t li u cer c y sinh, v t li u ceramic
các ng d ng nhi cao; 2) u khi n n (piezoelectric) dùng ch t o c m bi
chuy ng c a các c u trúc nano b n c p.
ng; 3) hàn ma sát k t n i kim lo i và
ceramic; 4) s d ng laser gia công/ch a Nh c gi ch n m ng
lành v t li u ceramic; 5) in 3D các c u trúc phát tri n tiêu bi gi i thi u c th : v t li u ceramic t lành
ceramic c nano. i tu c bin c h k ti p. Trong
t li u cômpozit c a g m silicat và h c t ng
h p t ph n ng th r n (solid state reaction) b
ép nóng (hot-pressing). B m t c a v t li ng h p s ct o
v t n t m t cách h th ng b c
ng ho ng c
c nhi cao). Quá trình này oxy hóa c a các h t nano SiC,
t o ra các pha m i, và hàn kín v t n t. Sau khi x lý, v t li c
phân tích b ng k thu t nhi u xa tia X (X-ray diffraction) và kính
hi nt ki m tra s
t lành c a v t n a v t li c b nu n
c và so sánh v i v t li u nguyên m c khi
có v t n ki m ch tc c tính t lành.
T khóa: v t li u t lành, ceramic, nano cômpôzit, SiC, ytterbi
silicat
1. Gi i thi u
1.1. Vai trò, t m quan tr ng và tri n v ng c a v t li u ceramic t
lành
Nh g nv it khá
i ph i c i thi n hi u su t nhiên li u (fuel effeciecency)
c c bin khí (gas turbine engine) [1]. Trong th p niên
https://doi.org/10.15625/vap.2021.0003
t i, nhi ho ng c a bin th h k ti p d ki n
18
- t kho ng 1500 °C, và h n h p s ng/ma tr n này ngoài nhi m v Kc cho
c a silic cacbua (SiC) c xem xét làm ceramic, chúng có th chuy n hóa thành oxit (ví d :
v t li u chính cho i tua bin c này [2]. SiO2, NiO) khi ph n ng v i oxy nhi cao, các
Tuy nhiên, vì SiC r t d b ng oxit này s ch y vào các v t n t và b t kín chúng l i
c (có trong nhiên li u), nên c n ph i ph lên b [6-8].
m t các i tu c bin m t l p ph b o v ng
(Environmental barrier coating: EBC) chúng Tuy nhiên, m t khi t t c các h t nano phân tán trong
kh i ti p xúc v i c nóng [3]. v t li chuy n h t sang d ng oxit, kh
ch a v t n t s không còn n có th b o
Các silicat c t hi Lu2Si2O7, Y2Si2O7 và v i tua bin lâu dài u c n thi t là ph i tái s d ng
nh t là Yb2Si2O7 nh ng v t li u ti m c kh t lành này. n nay, v n
t c a chúng: v t li u cho l p ph nào có th gi n c
kh s truy n nhi t th p, tính t lành.
và h s giãn n nhi t r t g n v i SiC (4-6×10-6)... Tuy
nhiên, các v t li u dai t gãy 1.2. V trí c a Nh t B n trong nghiên c u v v t li u
(fracture toughness, KIc) kém vì b n ch t là ceramic, ceramic t lành so v i th gi iNh t B
tránh h ng hóc x y ra trong quá trình v n c nghiên c u v v t li u
hành, do i tu c bin va ch m v i v t th l ceramic t lành. T i phòng thí nghi m c a GS Ando
b i núi l a) ho c do ng su t nhi t bên trong l p ph , i h c Qu c gia Yokohama, v t li u ceramic t lành
tính ch t này c c c i thi n. c nghiên c
ti p qu n phòng thí nghi m này (xem thêm m c 3) và
V t li u ceramic có kh lành là m t gi i pháp ti p t c y m ng nghiên c n
cho v này (xem Hình 1). V t li u t lành (self- ng d ng c a v t li u này.
healing material) là khái ni m ch nhóm các v t li u
có kh ch a lành các v t n t xu t hi n b Ngoài ra, v t li u ceramic t t trong
m t ho c bên trong v t li u trong quá trình s d ng c a nh ng nghiên c u chính t i h c Công ngh
chúng. Tùy theo lo i v t li u ch y u c u thành nên Nagaoka (PTN GS
chúng mà ta phân lo i ra v t li u t lành polymer, v t im ts nghiên c u-giáo d c trên kh p
li u t lành cômpôzit, v t li u t lành c c Nh t (Vd: Vi n công ngh v t li u qu c gia
ng các v t n t nh r t khó phát hi n và n u không NIMS, Vi n công ngh qu i h c
c x lý k p th i thì chúng có th phát tri n v i t c
r t nhanh d tg ng v t li u/thi t b .
Vì v y, nghiên c u v t li u t lành là m t gi i pháp V i b dày kinh nghi m nghiên c cv t
có th gi i quy t tri v này. li u ceramic t lành, Nh t B n hi n là m t trong nh ng
S ng các nghiên c u v v t li u t c công cd u v công ngh i h c và
b vi n nghiên c u c a Nh t ho c này
ng Anh, theo d li u t t ch t ch v
JDream III). Rõ ràng r ng, cùng v ng nghiên c u i
c u ph bi n khác c a v t li h c TU Deft c i h c Erlangen
c y sinh [4] n Nürnberg c c )
(piezoelectric) [5] dùng ch t o c m bi n... ceramic có
kh lành là m ng nghiên c 1.3. Các th m nh c a Nh t B n trong công ngh
c quan tâm vì nh ng l i ích thi t th c do này
chúng mang l i. ng, ceramic t lành (t Nh t B n luôn t hào v i vai trò là m t trong nh ng
hàn v t n t) s c gia c b ng các ch t giúp hàn g n qu u tiên khám phá ra v t li u ceramic, và
(healing agent) các h Các ch t không ng y m nh nghiên c c này.
Hi p h i Ceramic Nh t B n là m t trong nh ng h i
khoa h c k thu i nh t th gi a, nhi u
thành viên c a h i hi m nh ng v trí ch
ch t trong các h i ceramic Hoa K và châu Âu.
quan Khoa h c và Công ngh Nh t B n (Japan Science
n
công ngh công nghi ng m i (New
Energy and Industrial Technology Development
Organization (NEDO)) nh v t li u t lành, là
m t trong nh ng tr m
Hình 1. minh h a cho EBC t ch a lành v t n t tri n c khoa h c v t li u.
19
- 2. M t s nghiên c u tiêu bi u c a Nh t v v t li u vào m t ph n th ng c a b t nano SiC (0
ceramic t lành t o ra h n h p b n h p này
G u c a tác gi ng minh c tr u và tán nh b ng máy nghi n bi (ball-
thành công kh ch a lành v t n t trên b m t tinh khi t cao, r c cho
c a Yb2Si2O7/SiC, m t v t li u cômpôzit (composite) 80 °C trong t s y 24 gi . H n
y h a h n cho l p ph EBC [9-11]. Trong cômpozit h c nghi tách các
này, mono-silicat Yb2SiO5 c s d t kh i k t t . Cu i cùng, h n h p b t m c chu n
healing agent th c p, s ph n ng v i SiO2 c oxy b c ép nóng trong lò thiêu k t 30 MPa,
hóa t t -silicat Yb2Si2O7, kèm theo 1550 °C trong 1 gi ng khí argon (Ar)
vi c giãn n th tích s giúp b t kín v t n u thú t ng kính
v c a v t li u cômpozit không ch ph c 44 mm.
h i v giá tr c khi có v t n t) mà còn
ng 20% nh ng su ng su t nén) t n b nu c c t thành các
t i xung quanh v trí v t n a lành. m u hình h p ch nh t (36 mm × 4 mm × 3 mm), trong
nh dài c c vát 45°, theo tiêu
M t s báo cáo ch ra r ng Yb2Si2O7 chu n Nh t B n (Japanese Industrial Standard) JIS
có th b phân gi i thành Yb2SiO5 và Si(OH)4 khi b b n u n c a các thanh cômpôzit s c
c trong 1300 ~ 1400 °C [12]. o nhi phòng b m tra u n
u quá trình chuy n hóa-phân gi i c b m (four-point bending). Nh p ngoài (outer
t tái s d ng span) L và nh p trong (inner span) l là 30 và 10 mm,
Yb2SiO5 nhi u l cung c p m t cách lâu dài tính và t t (cross- c thi t l p là 0,5
a lành v t n t cho v t li u cômpozit (xem b n u n B c a m u th c tính theo
Hình 2). Nói cách khác, chúng ta có th phát tri n lo i công th c sau:
v t li u t u này s mang l i l i ích 2
B = 3P (L - l) / 2wt (1)
to l a bin khí th h ti
ng d ng nhi cao khác c a v t li u w và t là chi u r ng và chi u dày c a m u và
ceramic. P là t i tr ng khi m u b t gãy.
M c tiêu c a d án nghiên c u này là t ng h p nên kh o sát ng c a các v t n t trên b m n
các v t li u cômpôzit t n b ng cách s b n u n, trên b m t m u, các v t n c t o
d ng m t quy trình x lý nhi c bi c b ng cách s d ng indenter c c ng
c tái sinh liên t c. Nh Vickers v i t i tr ng 2 kgf (19.6 N). Các m u này s
có th k v ng vào vi c c i thi hi u su t c (annealing) 1250 °C trong 2 gi kích ho t
nhiên li u c a c tua bin khí th h ti p theo. kh ch a lành v t n t c a chúng.
Bài vi t này gi i thi u Yb2Si2O7 t v t li u
cômpôzit t i thích M t c t c a các m u v t và các v t n t do indenter t o
t ch a lành c a nó. Ngoài ra, m t s k t qu c quan sát b ng kính hi nt
u tiên c a d án nghiên c u ch t o v t li u t lành
c báo cáo. c ng Vickers HV t gãy KIc c tính b ng
các công th c sau [13]:
2.1.
V t li u cômpôzit c t ng h p b ng ph n ng tr ng
thái r n (solid state reaction) s d ng -
nóng (hot- u tiên, b t Yb2O3 và
SiO2 c tr n theo t l c thêm
Hình 2. quy trình tái ch - tái s d v t li u Hình 3. c t gãy c a các
có kh ch a lành v t n n cômpôzit
20
- HV = 1.854F / d2 (2)
KIc = 0,203HVa2c-1,5 (3)
F là t i tr ng gây lõm, d ng chéo
v t lõm, a ng chéo và c dài n a
1/2 v t n t.
C u trúc tinh th c a h n h p b t và cômpôzit
k nh b nhi u x tia X (X-ray
diffraction: XRD) v i b c x Cu-K ( = 1,54186 Å).
Ph m vi quét là 20 - c quét (step angle) là
0,02°. nh hi phân gi i cao c a các v t n t
c quan sát b ng máy SEM. Thành ph n v t Hình 4. Ph XRD và phân tích EDS trên b m t
ch t c a các healing agent s u tra b ng cách cômpôzit ch a 10 vol% SiC
s d ng m t ph tán x ng tia X và h u h nh nhi u x SiC b che l p b i các
(Energy dispersive X-ray spectrometry: EDS) g n nh c a hai silicat. Hình 4(b) cho th y có ba mi n
tránh hi u n b m t riêng bi m) trên b m t c a
(surface charging-up) trong quá trình quan sát, các cômpôzit. Phân tích EDS cho th y Si chi
m c ph m t l p vàng (ho ng trong các mi trí s 1) v i Yb:Si = 11,7:88,3,
kho ng 5 nm giúp d n. cho th y r ng chúng là các h t SiC. T l nguyên t
Yb:Si trong mi n xám nh t (v trí s 2) là 63,5:41,5 =
Các cômpôzit c c x lý nhi t trong 1,7:1, cho th y mi n xám nh t là Yb2SiO5. Trong các
m c c bi t (Japan Fine Ceramics Center) mi trí s 3), t l Yb:Si là 50,4:49,6
800 °C trong 1 gi . T ng c là 5 :1, cho th y các mi n này là Yb2Si2O7 k
kg/gi , t gia nhi t và làm l nh là 10 °C/phút. Sau thu t phân tích nh (Hình 4(c)) c s d ng tính
khi x lý nhi t, m ph n di n tích b m t c a SiC (mi k t qu
ph xác nh n li u s phân gi i Yb2Si2O7 thành c tính cho th y ph n th tích c a SiC là 10,7%. K t
Yb2SiO5 và Si(OH)4 có x y ra u ki n này hay qu này phù h p v i ph n th tích c a SiC (10% th
không. tích) trong h n h p b t u c a cômpôzit, ch ng
t r ng SiC không ph n ng v i các silicat trong quá
2.2. K t qu trình thiêu k t.
K t qu c dai c
tóm t c ng Vickers c a v t li u Hình 5 trình bày ph XRD và k t qu quan sát SEM
cômpôzit không c gia c SiC (ch có ytterbi silicat) c a các cômpôzit sau khi trong không khí 1250 °C
là 8,5 GPa ng h p t i tr ng gây lõm là 2 kgf. trong 2 gi . Hình 6 th hi n ph XRD và nh SEM c a
Vi c gia c b ng SiC (có giá tr HV l n ng s giúp cômpôzit ch a 10 vol c và sau khi trong
c ng. Th t v y, c ng không khí ho i v i cômpozit ch a 5% SiC
t giá tr l n nh t là 9,3 GPa v i 10 vol% SiC. (Hình 5(b)), các v t n c ch a lành m t ph n
c ng c a cômpôzit l i gi khi sau khi . Sau khi nh nhi u x c a
ng SiC ti p t c c ng c a cômpôzit Yb2SiO5 m, ch ng t thành ph n Yb2SiO5
ch a 20% SiC là 6,9 GPa, ch b ng 80% giá tr c a trong cômpôzit gi m. i v i cômpôzit ch a 10 vol%
ytterbi silicat. dai t gãy c a ytterbi silicat là 2,5 SiC, các v t n t g n m t sau khi trong
MPa.m1/2, n m kho ng gi a dai c a mono-silicat
(2,3 MPa.m1/2) và -silicat (2,7 MPa.m1/2) [14]
t gãy KIc c a cômpôzit bi n
c dai u gi m khi
vol%. S t n t i cùng lúc
c a ba cl c coi là nguyên nhân chính d n
nm (density) th p c a cômpozit có ng
SiC cao, h qu là c dai c a chúng b suy
gi m.
Hình 4(a) th hi n ph XRD (XRD pattern) c a
cômpôzit v i 10 vol c khi và Hình 4(b) là
phân tích thành ph n b ng SEM-EDS c a m .
nh nhi u x c a c Yb2Si2O7 và Yb2SiO5 u xu t
hi n, ch ng t s t n t i ng th i c a c hai silicat Hình 5. Ph XRD c a các cômpozit ch a
trong cômpôzit. R nh SiC b ng cách s (a) 0; (b) 5; (c) 10; (d) 20 vol% SiC sau khi và k t
d ng các ph XRD vì ph n th tích SiC r t nh , qu ch ng
21
- ng thêm 400 °C [15], t c là t quá nhi chuy n
ti p th y tinh (glass transition) 1202 °C c a SiO2 [12].
u này có th y nhanh quá trình nóng ch y
c a th y tinh SiO2. Th y tinh SiO2 nóng ch y s lan
ra và khi m ng thích h p SiO2 nóng ch y ti p xúc
v i Yb2SiO5, chúng có th bi i mono-silicat thành
i- n ng sau:
Yb2SiO5 + SiO2 = Yb2Si2O7 (5)
Vì Yb2Si2O7 có m th tích (volume density) l n
2SiO5, và SiO2 có m th tích g
[16], nên -silicat t o thành có th tích l ng
Hình 6. Ph XRD c a cômpôzit ch a 10 vol% SiC: th tích m t mát c a các ch t ph n ng (SiC và mono-
c khi ; (b) sau khi trong không khí; (c) sau silicat). Nói cách khác, Yb2Si2O7 m c hình thành
khi trong Ar; và nh ch ng ng m r ng th tích. Do c u trúc
cômpôzit c và r n, s m r ng c a Yb2Si2O7 theo
không khí (Hình 6(b)). Ngoài ra, nh nhi u ng r i xa v t n t là r t h n ch
x Yb2SiO5 trong cômpozit m. Tuy nhiên, ng m r ng v phía v t n ng m r ng c a
chi u dài v t n nh XRD h Yb2Si2O7 m i hình thành này c minh h a b ng các
i khi cômpôzit trong Ar (Hình 6(c)), K t qu là, s giãn n
cho th y vi c ng r t h n ch th tích này s giúp khép mi ng các v t n t.
i v i vi c làm lành v t n t. i v i cômpôzit ch a
20 vol% SiC, các v t n c ch a lành hoàn toàn Hình 8 cho th b n u c các thanh
b ng cách trong không khí, và Yb2SiO5 h u cômpôzit. b n u n c a ytterbi silicat là 152 MPa.
bi n m t kh i b m t (Hình 5(d)). S bi n i c b n c a cômpôzit
ng h p c t gãy, giá tr
Hình 7 là minh h c a quá trình t ch a lành d nc i v i 10 vol s
v t n t các cômpôzit. Các h c phân gi m d n v i các m u có hàm
ng nh t trong cômpôzit, c bên trong h t (grain) Trong các m u th ct os nv tn t b n gi m
ho c trên biên h t (grain boundary) c a Yb2Si2O7 ho c 30 ~ 50% so v i các m u thiêu k t. Tuy nhiên, có th
Yb2SiO5. Khi m t t i tr ng gây lõm ng lên b th b n c a t t c các cômpozit có c ph c
m t cômpôzit, các v t n t s phát tri n t các nh c a h i sau khi b n u n c a
v t lõm và l i khuy t t t trên b m t v t li u. Khi cômpôzit ch a 5 vol c ph c h i v giá tr
c trong không khí, các h t SiC b m t b oxy u (152 MPa). các cômpôzit ng SiC
hóa và t o thành SiO2 theo ph n ng sau: t 10 vol% tr lên, hi u qu ph c h i th m chí còn n
khi các m u sau quá trình t b n
SiC (s) + 3/2O2 (g) = SiO2 (l) + CO (g) + 943 kJ/mol (4) còn u. M c b n trong
các cômpôzit ch a 10 vol% và 20 vol% SiC l t
Nhi 1250 °C, th nóng là 34 MPa và 62 MPa. S c i thi n này có liên quan
ch y c a SiO2 (1650 °C). Tuy nhiên, nhi ng khá n ng su t nén t n t i xung quanh v t lõm do quá
l n (943 kJ/mol) sinh ra t ph n ng t a nhi t m nh trình gây ra [17].
này, có th c c b t i các v trí ph n
Hình 7 minh h a quá trình t lành trong v t Hình 8 b n u n c a các m u (0~20 vol% SiC)
li u cômpôzit không có v t n t, có v t n t, và sau khi t lành
22
- Hình 9 là nh ch p quang h c và nh SEM sau thí
nghi b n u n c a các m n t, có v t
n t, và sau khi trong không khí (ho c Ar), v i 10%
SiC th tích. Trong b nu nb m, v t
t gãy có th không ch y qua tâm c a m u th mà
m y u nh t n a hai ch t t i
v im uv c ng t gãy x y ra
tâm và ch y xuyên qua các v t n t t o s n (Hình 9(c)).
u này cho th y r ng vi c ch a lành v t n t là không
hi u qu ng h p này và v t n ct os n
v n là khuy t t t nghiêm tr ng nh t trên b m t m u.
iv im c trong không khí (trong 2 gi ),
t gãy v trí cách xa v t lõm (Hình 9(c)),
ch ng t r ng các v t n t xung quanh v t lõm c
ch a lành.
Hình 10. nh SEM c khi , ph i: sau khi )
Hình 10 là nh SEM c a cômpôzit ch a 10 vol% SiC, cho th y vi c gia nhi c có th
sau khi c trong c 800 °C trong 1 gi và chu k t ch a lành lên nhi t l n (bón l n).
tr i qua nhi u chu k th nghi m kh lành [18].
Chúng ta có th th y hi u qu t ch a lành có th kéo c a hi ng t ch a lành trong v t li u này. Nghiên
dài không ch m n b n chu k u này có c u này d ki n m ng cho s phát tri n c a v t
t ph n Yb2Si2O7 c tr l i li u ceramic có kh ch n.
thành Yb2SiO5 r t Yb2SiO5 l i góp ph n
vào vi c ch a lành v t n t chu k ti 3. M t s lab nghiên c u tiêu bi u c a Nh t B n
i. C ng trong thí nghi m c công ngh c m bi n
x lý v c này, nhi ch m c 800 °C. 3.1. Lab nghiên c u v Công ngh Nano và v t li u
M t m c nhi ng h n 1300~1400 °C Nanocomposite t Nagaoka
ng hi u qu (Nagaoka University of Technology)
c a quá trình tái ch -tái s d ng Yb2SiO5 và kéo dài Website: https://etigo.nagaokaut.ac.jp/people/staff/
kh ch a lành thêm nhi u chu k . nky15/index.html/
2.4. Tóm t t và tri n v ng nhi m: NAKAYAMA Tadachika
Trong nghiên c u này, v t li u cômpôzit tài nghiên c u: V t li u tua bin máy bay th h ti p
Yb2Si2O7/SiC c thiêu k t b ng ph n ng tr ng thái theo có th t ph c h i nhi u l n b ng nanocomposite
r ch a lành hóa (k t h p v i H c vi n Công ngh qu c gia Cao
v tn tc c nghiên c u trong ng Kushiro)
quan v i các thông s ng ng
healing agent. Vi c l y th y tinh SiO2 vào v t n t 3.2. Lab nghiên c u v v t li u ch u nhi t t
và s giãn n th tích c a Yb2Si2O7 là chính Công ngh Nagaoka
Website: http://ntic.nagaokaut.ac.jp/seeds-collection/
laboratory-25
nhi m: NANKO Makoto
tài nghiên c u: ng d ng c a kim lo i và ceramic
nhi c tính t lành
3.3. Lab nghiên c u v k thu t v t li u tân ti n t i
c gia Yokohama (Yokohama National
University)
Website: http://www.nakaolab.ynu.ac.jp/en/
nhi m: NAKAO Wataru
tài nghiên c u: Ch t n l c ti t ki m
nhiên li u v i "v t li u ceramic không b phá h y ngay
c khi có v t n t xâm nh p"
Hình 9. (a) nh ch p quang h c và (b-d) n SEM th
hi t gãy c a các m u: (b) t n t, (c) 3.4. Nhóm nghiên c u v v t li u siêu h p kim và
v t n t sau khi ch u nhi t thu c Lab SIP-MI, Vi n nghiên c u qu c
v t n t sau khi trong không khí. gia v khoa h c v t li u (NIMS)
23
- Website: https://samurai.nims.go.jp/profiles/ [7] Maruoka, D. & Nanko, M. Improved crack healing
osada_toshio
Ni/Al2O3 by Y or Si doping. J. Am. Ceram. Soc. 99,
ng nhóm: TS. OSADA Toshio (Principal 2451 2457 (2016).
Invesitator) [8] Chlup, Z., Flasar, P., Kotoji, A. & Dlouhy, I.
tài nghiên c u: Siêu h p kim và v t li u ceramic t Fracture behaviour of Al2O3/SiC nanocomposite
lành ng d ng cho tua bin ceramics after crack healing treatment. J. Eur.
Ceram. Soc. 28, 1073 1077 (2008).
[9] Nguyen, S. T. et al. Strength improvement and
3.5. Nhóm nghiên c u v v t li u Ceramic tân ti n
t i Lab Materials & Processing, H c vi n công ngh
surface oxidation treatment. J. Am. Ceram. Soc. 100,
qu c gia ng Kushiro (NIT-KC) 1 10 (2017).
Website: https://www.kushiro-ct.ac.jp/mech/staff/ [10] Nguyen, S. T. et al. Self-crack healing ability and
son.html strength recovery in ytterbium disilicate/silicon
carbide nanocomposites. Int. J. Appl. Ceram.
ng nhóm: TS. NGUY Technol. 16, 39 49 (2019).
Prof.) [11] Nguyen, S. T. et al. Self-healing behavior and
tài nghiên c u chính: V t li u tua bin máy bay th strength recovery of ytterbium disilicate ceramic
h ti p theo có th t ph c h i nhi u l n b ng reinforced with silicon carbide nanofillers. J. Eur.
nanocomposite hóa (k t h p v Ceram. Soc. 39, 3139 3152 (2019).
Nagaoka) [12] Ueno, S., Ohji, T. & Lin, H.-T. Recession behavior
of Yb2Si2O7 phase under high speed steam jet at
Tài li u tham kh o high temperatures. Corros. Sci. 50, 178 182 (2008).
[1] Perepezko, J. H. The hotter the engine, the better. [13] Niihara, K., Nakahira, A. & Hirai, T. The effect of
Science (80-. ). 326, 1068 1069 (2009). stoichiometry on mechanical properties of boron
[2] Spitsberg, I. & Steibel, J. Thermal and carbide. J. Am. Ceram. Soc. 67, C 13 (1984).
Environmental Barrier Coatings for SiC/SiC CMCs [14] Al Nasiri, N., Patra, N., Horlait, D., Jayaseelan, D.
in Aircraft Engine Applications*. Int. J. Appl. D. & Lee, W. E. Thermal Properties of Rare-Earth
Ceram. Technol. 1, 291 301 (2004). Monosilicates for EBC on Si-Based Ceramic
[3] Richards, B. T. & Wadley, H. N. G. Plasma spray Composites. J. Am. Ceram. Soc. 99, (2016).
deposition of tri-layer environmental barrier [15] Riley, F. L. Structural Ceramics. (Cambridge, UK:
coatings. J. Eur. Ceram. Soc. (2014). Cambridge University Press, 2009).
[4] L. Treccani, T. Y. Klein, F. Meder, K. Pardun, and [16] Greil, P. Generic principles of crack-healing
ceramics. J. Adv. Ceram. 1, 249 267 (2012).
biomedical, biotechnological and environmental [17] Pham, H. V., Nanko, M. & Nakao, W. High
Acta Biomater., vol. 9, no. 7, pp. temperature Bending Strength of Self Healing
7115 7150, 2013. Ni/Al2O3 Nanocomposites. Int. J. Appl. Ceram.
[5] Technol. 13, 973 983 (2016).
prospects of lead- J. [18] S. T. Nguyen et al.
Eur. Ceram. Soc., vol. 25, no. 12, pp. 2693 2700,
2005.
[6] Ando, K., Furusawa, K., Takahashi, K. & Sato, S.
Crack-healing ability of structural ceramics and a Adv. Eng. Mater., vol. 22, no. 7, p. 2000157, 2020.
new methodology to guarantee the structural
integrity using the ability and proof-test. J. Eur.
Ceram. Soc. 25, 549 558 (2005).
24
nguon tai.lieu . vn
