Xem mẫu
- Phương pháp tăng độ rộng băng tần ghép
giữa hai hốc cộng hưởng
Trần Thị Thu Hường1,2, Tô Thị Thảo3 và Nguyễn Trọng Đức4
Viện Điện tử Viễn thông, Đại học Bách Khoa Hà Nội
1
Khoa Điện tử, Đại học Kinh tế Kỹ thuật Công nghiệp
2
3
Khoa Cơ bản, Học viện Bưu chính Viễn thông
4
Khoa Công nghệ Thông tin, Trường Đại học Hàng Hải Việt Nam
Email: huongtranthu85@gmail.com, tththao@gmail.com, trong-duc.nguyen@vimaru.edu.vn
Abstract— Bài báo này mở rộng các nghiên cứu trước đó của nhóm kết hợp với các điểm 0 của đường truyền để đạt được độ dốc
tác giả về việc cải thiện các đặc tính của bộ lọc hốc cộng hưởng ứng mong muốn. Một bộ lọc hốc cộng hưởng siêu cao tần có cấu
dụng trong các trạm thu phát sóng của hệ thống LTE-A. Chúng trúc gồm một số hốc (chính là bậc của bộ lọc) ghép điện trường
tôi đề xuất phương pháp cải thiện độ rộng băng tần ghép giữa hai và từ trường với nhau bằng các vách kim loại. Kỹ thuật ghép
hốc cộng hưởng siêu cao tần độc lập. Việc cải thiện đạt được bằng
trường điện từ giữa các hốc cộng hưởng đã được tìm ra và ứng
cách sử dụng một dải kim loại hình chữ nhật đặt tại trung tâm của
cửa sổ nối giữa hai hốc. Nhờ đường kết nối này mà các trường điện dụng từ những năm 1970s do nhóm tác giả Atia và Williams
và trường từ của hai hốc cộng hưởng được ghép với nhau tốt hơn. giới thiệu [2]. Sơ đồ ghép các hốc theo hình tam giác hoặc tứ
Nó tác động đến các mốt tần số dao động trong cấu trúc hốc, đồng giác, sự thay đổi thứ tự hốc cộng hưởng, đường ghép nối chính
thời làm tăng thành phần dẫn nạp tại điểm ghép nối chung. Từ đó và nối chéo tạo nên nhiều tôpô khác nhau. Để tiết kiệm kích
độ rộng băng tần của bộ lọc có thể tùy chỉnh phụ thuộc vào kích thước và khối lượng của bộ lọc hốc cộng hưởng thì cần tối thiểu
thước chiều dài và chiều cao của dải kim loại. Kết quả mô phỏng hóa số bậc của bộ lọc nhưng vẫn đảm bảo được yêu cầu về chỉ
chỉ ra rằng độ rộng băng tần ghép có thể tăng lên xấp xỉ 3 lần khi tiêu kỹ thuật. Vậy hệ số ghép điện trường và từ trường giữa hai
chiều cao của dải kim loại tăng lên 10mm và giữ nguyên chiều dài hốc cộng hưởng cạnh nhau cần tăng lên.
15mm, tăng lên 2 lần khi chiều dài đạt giá trị lớn nhất (khi hai ống
Các cấu trúc ghép điện trường trong các bộ lọc hốc đồng
cộng hưởng được nối liền) và giữ nguyên độ cao 4mm. Ứng dụng
phương pháp này trong một ví dụ về thiết kế bộ song công hốc trục được đưa ra trong các bài báo từ [3-6] được tạo thành bằng
cộng hưởng. Mô hình này được ứng dụng trong điều kiện cửa sổ một cửa sổ giữa hai hốc cạnh nhau có ốc điều chỉnh, tùy theo
vách ngăn giữa hai hốc cộng hưởng có hình chữ nhật. độ dài của ốc để điều chỉnh độ ghép trường điện từ sao cho thỏa
mãn giá trị hệ số ghép mong muốn. Và trong đó, hệ số ghép
Keywords- Độ rộng băng tần ghép, ghép điện trường và từ trường, điện từ trường của các bộ lọc Chebyshev không lớn hơn 1.
hốc cộng hưởng siêu cao tần, dải kim loại hình chữ nhật. Trong bài báo [7], tác giả đã đề xuất cấu trúc vật lý ghép giữa
hai hốc cộng hưởng bằng một cửa sổ không phải hình chữ nhật
I. GIỚI THIỆU mà được khoét đáy thành đa giác, độ rộng băng tần ghép giữa
Trong các khối thu phát vô tuyến (RRU – Radio Remote hai hốc đạt 30%.
Unit) của trạm thu phát gốc trong mạng di động, bộ song công Trong bài báo này, chúng tôi đề xuất một giải pháp ghép
đóng vai trò vô cùng quan trọng, chỉ cho các thành phần tín hiệu điện từ trường mới, trong đó, hai hốc cộng hưởng nối trực tiếp
có tần số mong muốn đi qua và chặn các thành phần tín hiệu có với nhau bằng một đường nối kim loại trực tiếp ở phía đáy của
tần số không mong muốn trên cả hướng thu và phát. Vị trí của ống cộng hưởng. Nhờ đó mà tăng được tính chất ghép điện
bộ song công đối với tuyến phát là đứng trước ăng ten và đứng trường giữa hai hốc cộng hưởng. Chúng tôi sử dụng cấu trúc
sau bộ khuếch đại công suất PA, trong tuyến thu thì chúng đứng này trong việc mô phỏng, thiết kế bộ song công hốc cộng hưởng
ngay sau ăng ten và trước bộ khuếch đại tạp âm thấp LNA. Mỗi băng 7, ứng dụng trong khối RRU của trạm thu phát gốc mạng
bộ song công gồm hai bộ lọc cho tuyến thu và tuyến phát và LTE – A với độ rộng băng tần thu và phát là 70 MHz.
được nối với nhau bằng chuyển tiếp hình chữ T. Các bộ lọc lại
bao gồm nhiều hốc cộng hưởng ghép với nhau. Mặc dù công Đầu tiên, hốc cộng hưởng và đường ghép giữa hai hốc được
nghệ hốc cộng hưởng đã phát triển từ rất sớm (từ những năm mô hình hóa, đánh giá sự ảnh hưởng của kích thước vật lý đến
1970s) nhưng ngày nay loại bộ lọc này vẫn được ứng dụng rộng đặc tính của bộ lọc hốc cộng hưởng. Sau đó, phân tích cấu trúc
rãi trong các hệ thống thông tin hiện đại ngày nay, đặc biệt là ghép trường điện và trường từ giữa hai hốc. Từ đó, đề xuất
trong các trạm thu phát sóng di động 2G/3G/4G đều sử dụng. phương pháp cải tiến cũng như điều khiển được độ rộng băng
Do có nhiều ưu điểm như hệ số phẩm chất cao (3500), kích tần (CBW) ghép giữa hai hốc cộng hưởng. Cuối cùng là áp dụng
thước nhỏ, độ rộng băng tần rộng từ 1% đến 66%, tần số hoạt phương pháp này vào việc thiết kế một bộ song công hốc cộng
động từ 30MHz đến 18GHz, công suất chịu đựng được cao [1]. hưởng siêu cao tần.
Hơn nữa, trong các hệ thống thông tin băng hẹp, độ dốc bộ lọc
đòi hỏi phải cao, người ta thường dùng loại bộ lọc Chebyshev
178
- II. MÔ HÌNH BỘ LỌC HỐC CỘNG HƯỞNG L2 L1
Trong thực tế, bộ lọc hốc cộng hưởng cần thiết kế sao cho đảm Cs
bảo các yêu cầu kỹ thuật cho trước về đặc tuyến và kích thước
tối đa. Một số đặc điểm kỹ thuật quan trọng gồm dải tần hoạt
động, độ dốc trong dải chắn, độ suy hao do xen trong dải thông,
độ phẳng của hàm truyền đạt trong dải thông. Quy trình thiết kế Mij
bộ lọc hốc bao gồm bốn bước cơ bản [8]. Bước một thực hiện
tính toán bậc của bộ lọc và hàm số xấp xỉ của bộ lọc theo yêu Cs
cầu kỹ thuật. Bước hai tổng hợp ma trận ghép của bộ lọc (ma
trận [M], [K] hoặc mô hình J chuyển đổi để thực hiện được hàm
xấp xỉ của bộ lọc trên. Bước ba tìm hiểu và lựa chọn kiểu vật lý
của bộ lọc (kiểu ống dẫn sóng, hốc cộng hưởng điện môi, kiểu
vi dải,…). Bước bốn tính toán, thiết kế kích thước vật lý của bộ
lọc hốc cộng hưởng. Hình 2: Mô hình hóa cấu trúc ghép điện từ trường giữa 2 hốc
Cấu trúc một hốc cộng hưởng đơn giống đường cáp đồng trục,
bao gồm hốc hình tròn hoặc đa giác, và ống cộng hưởng kim Trong bộ lọc hốc cộng hưởng sẽ gồm các hốc ghép điện từ
loại dẫn điện lý tưởng hình tròn đồng trục với hốc (như hình 1). trường với nhau. Điện từ trường truyền trong hốc dọc theo
Mô hình hóa mỗi hốc cộng hưởng là các mạch LC (như hình 2). đường đồng trục, lưu trữ năng lượng điện trường và từ trường
Trong đó, ống cộng hưởng và ốc điều chỉnh đóng vai trò như bên trong hốc. Hai hốc cộng hưởng cạnh nhau có mô hình như
hai bản của tụ điện có lớp điện môi không khí ở giữa, gọi là tụ một cặp đường truyền được ghép với nhau ở phần cửa sổ nối
Cs. Giá trị của Cs phụ thuộc vào vị trí của ốc điều chỉnh. Ống chung.
cộng hưởng đóng vai trò như thành phần L, một đầu nối đất,
(𝐿1 +𝐿2 )𝜔𝑟
một đầu nối Cs, giá trị phụ thuộc vào chiều dài của ống cộng 1
= 𝑍0 𝑡𝑔 ( ) = 𝑍0 𝑡𝑔(𝜃1 + 𝜃2 ) (1)
𝜔𝑟 𝐶𝑠 2𝜋𝑣𝑝
hưởng. Như vậy một hốc cộng hưởng giống như một mạch LC
mắc song song nhau. Chiều dài của ống cộng hưởng, độ sâu của Trong đó, vp là vận tốc pha trong không khí. Z0 là trở kháng đặc
ốc điều chỉnh quyết định đến tần số cộng hưởng ωr khi chưa có trưng của đường truyền. θ1, θ2 là chiều dài điện tương ứng của
ghép đường truyền tại mode sóng chính. tần số góc cộng hưởng ωr. H là chiều cao của hốc cộng hưởng,
h là chiều cao của ống cộng hưởng bên trong, d là chiều sâu của
Ốc điều chỉnh ốc đường truyền.
L2 = h + d – H (2)
L1 = h – L2 (3)
𝐿 𝜔 𝐿 𝜔
𝜃1 = 1 𝑟 ; 𝜃2 = 2 𝑟 (4)
2𝜋𝑣𝑝 2𝜋𝑣𝑝
Các hốc cộng hưởng ghép lại theo kiểu hình học tam giác, tứ
giác kết hợp với việc đảo vị trí thứ tự của các hốc và các đường
ghép nối chéo. Do đó sẽ có rất nhiều kiểu tôpô khác nhau. Việc
Ống cộng hưởng
sắp xếp này phụ thuộc vào yêu cầu vật lý của bộ lọc và số đường
ghép nối chéo mà lựa chọn tôpô phù hợp. Bộ công cụ mô phỏng
Vách của hốc cộng hưởng
“CST Filter Designer 3D” đã hỗ trợ đầy đủ thư viện tôpô, tổng
Hình 1: Cấu trúc của một hốc cộng hưởng
hợp bộ lọc tự động.
Ốc đường truyền Ốc điều chỉnh
III. PHÂN TÍCH CẤU TRÚC GHÉP ĐIỆN TRƯỜNG VÀ
TỪ TRƯỜNG
d Vì hai hốc cộng hưởng được ghép với nhau nên sẽ có ảnh hưởng
L2 qua lại với nhau, dẫn đến cấu trúc này có hai tần số góc cộng
hưởng xê dịch một khoảng xung quanh ωr. Gọi các tần số góc
H tương wlẻ, wchẵn (rad/s).
h 𝜔 𝜔
L1 𝑗𝑍0 𝑡𝑔(𝜃1 . 𝑙ẻ)+𝑗𝑍𝑙ẻ 𝑡𝑔(𝜃2 𝑙ẻ) 1
𝜔𝑟 𝜔𝑟
𝑍𝑙ẻ . 𝜔 𝜔 + =0 (5)
𝑍𝑙ẻ −𝑍0 𝑡𝑔(𝜃1 . 𝑙ẻ)𝑡𝑔(𝜃2 𝑙ẻ) 𝑗𝜔𝑙ẻ 𝐶𝑠
𝜔𝑟 𝜔𝑟
𝜔 𝜔
𝑗𝑍0 𝑡𝑔(𝜃1 . 𝑐ℎẵ𝑛)+𝑗𝑍𝑐ℎẵ𝑛 𝑡𝑔(𝜃2 𝑐ℎẵ𝑛) 1
𝜔𝑟 𝜔𝑟
𝑍𝑐ℎẵ𝑛 . 𝜔 𝜔 + =0 (6)
𝑍𝑐ℎẵ𝑛 −𝑍0 𝑡𝑔(𝜃1 . 𝑐ℎẵ𝑛)𝑡𝑔(𝜃2 𝑐ℎẵ𝑛) 𝑗𝜔𝑐ℎẵ𝑛 𝐶𝑠
𝜔𝑟 𝜔𝑟
Zchẵn, Zlẻ là các trở kháng đặc trưng mốt chẵn lẻ tương ứng. Từ
các giá trị ωchẵn, ωlẻ có thể suy ra hệ số ghép M:
2 2
𝜔𝑙ẻ −𝜔𝑐ℎẵ𝑛
𝑀= 2 +𝜔2 (7)
𝜔𝑙ẻ 𝑐ℎẵ𝑛
179
- Các hệ số ghép M được tìm trong bước tổng hợp bộ lọc. Ma việc sử dụng một dải kim loại nối giữa hai hốc cộng hưởng với
trận ghép của bộ lọc bậc n kiểu chebyshev có dạng trong hình nhau nhằm tăng tính chất ghép từ trường (hình 6). Vậy tăng được
4 [9]: giá trị tối đa của CBW.
S 1 2 3 4 L Gọi a, b tương ứng là độ cao và độ dài của dải kim loại nối hai
S Mss Ms1 Ms2 Ms3 Ms4 MsL hốc, D1 là đường kính của ống cộng hưởng, D2 là đường kính
1 Ms1 M11 M12 M13 M14 M1L của hốc cộng hưởng bên ngoài. Khi đó, tạo thành một đường dẫn
2 Ms2 M12 M22 M23 M24 M2L từ trường giữa hai ống cộng hưởng. Tăng a hoặc b đều sẽ làm
3 Ms3 M13 M23 M33 M34 M3L tăng hệ số ghép. Như vậy, sẽ làm tăng CBW giữa hai hốc. Đánh
4 Ms4 M14 M24 M34 M44 M4L giá, kiểm tra ảnh hưởng của kích thước a, b và CBW giữa hai
L MsL M1L M2L M3L M4L MLL hốc bằng mô phỏng trên phần mềm, có đồ thị như hình 7. Trong
(a) đó, các kích thước khác của cửa sổ ghép giữ nguyên. Trường
S 1
hợp a, độ cao a tăng từ 0mm lên 10mm và giữ nguyên độ dài b,
2
CBW tăng lên 3 lần (từ 41.54MHz lên 127.49MHz), hệ số ghép
M tăng lên đến 1.82. Trường hợp b, độ dài tăng lên đến giá trị
lớn nhất – hai ống cộng hưởng nối liền với nhau, giữ nguyên a,
CBW tăng lên xấp xỉ 2 lần (từ 41.076MHz lên 79.306MHz).
Thiết kế mô hình ghép hai hốc bằng phần mềm thường xuất hiện
L 4 3 những sai số, khó tìm được điểm chính xác kích thước vật lý sao
cho đạt được độ rộng băng tần mong muốn. Do đó, cần phải thực
(b)
hiện quét một số mẫu nhất định, sau đó nội suy giá trị theo hàm
Hình 3: (a) Ma trận hốc cộng hưởng của bộ lọc bậc 4. (b) Mô
số bậc hai để có bảng giá trị vật lý và độ rộng băng tần mong
hình cấu trúc liên kết các hốc cộng hưởng muốn. Hàm số kích thước theo độ rộng băng tần, có dạng:
Hai hốc cộng hưởng ghép năng lượng điện từ trường, đặc trưng y = f(x)= a1x2 + a2x + a3. (10)
bởi hai hệ số ghép điện MC và ghép trường Mm. Trong đó, x là giá trị biến CBW, y là kích thước vật lý, a1, a2, a3
M = M m – M c. (8)
là các hệ số cần tìm. Phần tiếp theo trình bày kết quả mô phỏng
Hai giá trị này phụ thuộc vào độ dài điện L1 và L2. Nhận xét thấy
một bộ song công có áp dụng phương pháp tăng CBW để đáp
M > 0 khi Mm > Mc, ta có ghép điện kiểu từ cảm. M
- (a) (a)
(b) (b)
Hình 5: (a) Mô phỏng điện trường. (b) Mô phỏng từ trường Hình 7: Đánh giá độ rộng băng tần CBW. (a) CBW thay đổi
theo chiều cao. (b) CBW thay đổi theo chiều dài.
D2 Kết quả tổng hợp bộ lọc theo yêu cầu kỹ thuật trên rút gọn có
bậc bằng 8. Sử dụng phương pháp mở rộng băng tần ghép trên
ở 2 đường ghép 1-2, 7-8 (đánh dấu màu đỏ trong hình 8).
2 3 6 7
TX
D1
1 4 5 8
Tiếp giáp
T
1 3 5 7
RX
2 4 6 8
H
Hình 8: Sơ đồ sắp xếp hốc cộng hưởng bộ lọc
h
Kích thước hốc D2 = 13.5sin(600) mm, D2 = 5 mm, h = 21.2
a
b mm, H = 35 mm. Để đảm bảo dễ dàng chế tạo hộp cộng hưởng,
chúng tôi chọn giá trị a giống nhau ở các đường nối và bằng 4
(a) mm.
Thực hiện quét kích thước vật lý để xây dựng phương trình xác
định độ sâu của ốc đường nối chính dij so với CBWij theo công
thức (10): dij = -0.0104.CBWij2 + 1.9025.CBWij - 76.772 (mm).
Mô hình 3D bộ song công dải tần 2.6 GHz bậc 8 trong hình 9,
trong đó, cổng 1 là cổng đấu chung hai bộ lọc qua tiếp giáp hình
T, cổng 2 là cổng vào của bộ lọc TX, cổng 3 là cổng ra của bộ
lọc RX. Thiết lập mô phỏng trong miền tần số, tối ưu dựa trên
thuật toán “CMA Evolution Strategy”, với yêu cầu S21 > -1 dB
trong dải 2.62 GHz – 2.69 GHz, S31 > -1dB trong dải 2.50 GHz–
2.57 GHz.
(b)
Hình 6: Mô hình đề xuất tăng hệ số ghép giữa hai hốc cộng
hưởng. (a) là hình chiếu 2D của mô hình. (b) là mô hình 3D
181
- xen lớn hơn nhưng độ cách ly giữa hai kênh TX và RX đạt được
tốt hơn ( > 120 dB). Chi tiết trong bảng 1.
(a)
Hình 9: Duplexer hoàn chỉnh
Kết quả mô phỏng đặc tuyến của bộ song công sau tối ưu trong
hình 10. Đặc điểm bộ song công đã đạt được yêu cầu, phối hợp
trở kháng với độ rộng băng tần đạt 70 MHz, độ tổn hao trong
dải thông dưới 0.5 dB, độ cách ly TX-RX 97 dB, độ phẳng trong (b)
dải thông dưới 1 dB. Kết quả này hoàn toàn đáp ứng yêu cầu về Hình 11: Kết quả mô phỏng bộ song công bậc 10.
kỹ thuật ban đầu, có khả năng ứng dụng được trong các trạm (a) Đặc tuyến truyền đạt. (b) Đặc tuyến cách ly giữa TX-RX
thu phát sóng LTE-A hiện nay.
BẢNG 1
KẾT QUẢ SO SÁNH MÔ HÌNH CÓ VÀ KHÔNG SỬ DỤNG
ĐƯỜNG KIM LOẠI
Chỉ tiêu Bộ song công Bộ song công không sử
có sử dụng dụng đường nối kim
đường kim loại loại
Độ rộng băng tần 70 MHz 70 MHz
Bậc của bộ lọc 8 10
Độ suy hao do xen 0.5 dB 0.73 dB
(a) Độ phẳng 0.42 dB ~2 dB
Độ cách ly TX-RX > 97 dB > 120 dB
So với các đề xuất đã có trên thế giới, độ rộng băng tần ghép
của cấu trúc bộ lọc đã đề xuất có thể đạt được đến 120 MHz
(~170% BW). Do đó phù hợp với các thiết kế có Mij lớn hơn 1.
Hơn nữa mô hình này cho phép thay đổi độ rộng băng tần ghép
rất mềm dẻo bằng cách thay đổi độ dài bắt đầu từ 0 mm đến
khoảng cách giữa hai ống cộng hưởng.
(b)
VI. KẾT LUẬN
Trong bài báo này, chúng tôi đã đề xuất phương pháp cải thiện
độ rộng băng tần nối giữa hai hốc cộng hưởng cạnh nhau bằng
cách dùng một đường nối giữa hai ống cộng hưởng. Việc sử
dụng đường nối này sẽ làm tăng độ ghép từ trường. Bậc của bộ
lọc từ đó giảm xuống nhưng vẫn đảm bảo được chỉ tiêu kỹ thuật
yêu cầu đặt ra. Vì khi giảm bậc bộ lọc, hệ số ghép Mij tăng lên,
(c) làm CBWij tăng. Tuy CBWij cũng có thể tăng bằng cách tăng
chiều dài của ốc điều chỉnh đường nối chính, nhưng việc kết hợp
Hình 10: Kết quả mô phỏng. (a) Đồ thị phối hợp trở kháng. với phương pháp nối hai ống cộng hưởng với nhau sẽ mở rộng
(b) Đặc tuyến truyền đạt. (c) Đặc tuyến cách ly giữa TX-RX được dải biến đổi CBW, từ đó điều hưởng được độ rộng băng
So sánh với kết quả mô phỏng trên với bộ song công hốc cộng tần của toàn bộ lọc. Hình dạng của hốc cộng hưởng còn có thể
hưởng cũng được thiết kế với cùng yêu cầu về băng tần (hình thay đổi thành dạng hình lăng trụ tròn, vuông, ngũ giác, lục giác
11). Bộ lọc này thiết kế với bậc cao hơn (bậc 10), suy hao do tùy thuộc vào giới hạn vật lý trong các ứng dụng tích hợp trong
182
- trạm thu phát sóng hoặc là phần tử độc lập. Đường nối giữa hai [4] Andrei Muller, Pablo Soto, Vicente E.Boria, “Design Procedure for
Coaxial Combline Filters based on Segmentation and Space Mapping
hốc có thể nối trực tiếp hoặc không tiếp xúc, thay đổi độ cao tùy Stragies”, 2017 IEEE MTT-S International Conference on Numerical
thuộc vào độ lớn của hệ số M yêu cầu. Electromagnetic and Multiphysics Modeling and Optimization for RF,
Tuy nhiên, đối với các bộ lọc kiểu Chebyshev này, nhược điểm Microwave, and Terahertz Applications (NEMO), 17-19, May 2017.
khi giảm bậc bộ lọc là độ dốc của đặc tuyến truyền đạt tại đầu [5] Hao-Hui Chen, Rong-Chan Hsieh, Yu-Ting Shih, Young-Huang Chou &
và cuối băng tần sẽ giảm. Bằng việc thiết kế thêm các đường nối Ming-Huei Chen, “Coaxial Combline Filters Using the Stepped-
Impedance Resonators”, 2010 Asia-Pacific Microwave Conference, 7-10
chéo giữa các hốc cộng hưởng để tạo ra các điểm 0 của đường Dec. 2010.
truyền sẽ khắc phục được nhược điểm này. Điều đó sẽ làm việc [6] Mahmoud El Sabbagh, Kawthar A. Zaki, Hui-Wen Yao and Ming Yu,
tối ưu bộ lọc gặp nhiều khó khăn hơn, tăng thời gian tối ưu. “Full-Wave Analysis of Coupling Between Combline Resonators and Its
Trong thiết kế này, kết quả đặt tuyến tần số cắt tại 2620-2690 Application to Combline Filters With Canonical Configurations”, IEEE
MHz của bộ lọc TX là -120 dB, tại 2500 - 2570 MHz của bộ lọc trans. Vol. 49, no . 12, pp. 2383 – 2393, Dec. 2001.
RX là -111 dB, độ cách ly đạt 97 dB. Kết quả này đã hoàn toàn [7] Frank T. Duong, Bill Engst, Gregory J. Lamont, Chi Wang, “Coupling
Structure for Coupling Cavity Resonators”, Wsou Investments LLC
đáp ứng so với yêu cầu theo chuẩn LTE-A. Lockheed Martin Corp Radio Frequency Systems Inc, sep.1998.
[8] Richard J. Cameron, “Advanced Filter Synthesis”, IEEE microwave
TÀI LIỆU THAM KHẢO magazine, pp. 41 – 62, Oct. 2011.
[1] https://www.teledynemicrowave.com, Filter Facts and Types. [9] Richard J. Cameron, Chandra M. Kudsia, Raafat R. Mansour,
[2] Atia, A.E. and Williams, A.E. (1972) Narrow-bandpass waveguide filters. “Microwave Filters for Communication Systems, Fundamentals, Design,
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, MTT-20, 258– and Applications”, second edition, © 2018 John Wiley & Sons, Inc.
265.
[3] Muhammad Sufian Anwar and Hamid Râz Dhanyal, “Design of S-Band
Combline Coaxial Cavity Bandpass Filter”, IBCAST, Islamabad,
Pakistan, 9th – 13th, Jan.2018.
183
nguon tai.lieu . vn
