Xem mẫu

Bài 6: TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG I. Tổng quát 1. Cấu tạo – ký hiệu JFET: D(Thoát) D(Thoát) G(Cổng) P P N G(Cổng) N N P S(Nguồn) D (a) S(Nguồn) D (b) G G S S Cấu tạo và ký hiệu JFET 2.Nguyên lý hoạt động: • Vùng nghèo • Hoạt động JFET kênh N Tầng khuếch đạiJFET kênh P Hoạt động JFET kênh P 3. Đặc tính JFET: Đặc tính cong của JFET ID Thắt kênh (VP) Vùng đánh thủng B VGS = 0 C  Khi VDD ( và VDS) tăng từ 0 trở lên thì ID sẽ tăng tỉ lệ thuận với VDD. ( A-B) VGS = -1v  Vùng từ A-B được gọi là vùng điện trở. VGS = - 2v VGS = - 3v VGS = - 4v VGS = - 5v A  Tại điểm B thì đường đặc tuyến nằm ngang nên ID là một hằng số. VDS VP = 6v VGS(OFF) = - 6v, ID = 0 4. Mạch khuếch đại JFET cực nguồn chung: +VDD 20v RL ID RL C1 C2 Ngõ ra G Tín hiệu 1M RG VDS -VG Mạch khuếch đại JFET nguồn chung 5. Mạch khuếch đại JFET cực thoát chung: +20V R1 3.3M C1 Ngõ ra Ngõ vào VGS  R2 470 VG ID RL RL 10k Mạch khuếch đại JFET thốt chung ... - tailieumienphi.vn
nguon tai.lieu . vn