Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát cấu hình nhám thông qua mật độ hấp thụ tích hợp trong giếng lượng tử GaN-AlN
Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát cấu hình nhám thông qua mật độ hấp thụ tích hợp trong giếng lượng tử GaN-AlN
Mục tiêu của đề tài Khảo sát cấu hình nhám thông qua mật độ hấp thụ tích hợp trong giếng lượng tử GaN-AlN là nghiên cứu mật độ hấp thụ tích hợp của điện tử trong giếng lượng tử GaN/AIN ứng với cơ chế tán xạ nhám bề mặt phân cực, có tính đến ảnh hưởng của tất cả các nguồn giam giữ có thể.
Thể loại
Tài liệu miễn phí Thạc sĩ - Tiến sĩ - Cao học