Xem mẫu
Nghiên cứu chế tạo màng ITO bằng phương pháp phún xạ Magnetron
GVHD: TS. Lê Trấn HVTH: Nguyễn Thanh Tú
Nội dung
1 Tổng quan
2 Thực nghiệm
Màng ITO
Phương pháp phún xạ magnetron
Các bước tạo màng
Các phương pháp xác định tính chất của màng
3 Kết quả
Khoảng cách bia đế Công suất phún xạ Nhiệt độ đế
Độ dày màng Khí oxi
Xử lý nhiệt sau khi phủ
Page 2
Page 3
Màng ITO
ITO: hỗn hợp của Indium oxide (In2O3 ) và Tin Oxide (SnO2), Cơ chế dẫn điện: các electron dẫn sinh ra do có sự pha tạp
donor hoặc do sự thiếu oxi trong cấu trúc màng
Có độ truyền qua cao ở vùng khả kiến và điện trở suất thấp
Dùng làm điện cực trong suốt trong các loại màn hình, pin mặt trời màng mỏng, OLED…
Page 4
Ưu điểm của phương pháp phún xạ Magnetron
Nhiệt độ đế thấp, có thể xuống đến nhiệt độ phòng Độ bám dính tốt của màng trên đế
Vận tốc phủ cao, có thể đạt 12 µm/phút Dễ dàng điều khiển
Các hợp kim và hợp chất của các vật liệu với áp suất hơi rất khác nhau có thể dễ dàng phún xạ
Phương pháp có chi phí không cao
Có khả năng phủ màng trên diện tích rộng
Page 5
...
- tailieumienphi.vn
nguon tai.lieu . vn