Xem mẫu
- Trường Đại học sư phạm kĩ thuật Hưng yên Đồ án môn
học
Khoa Điện – Điện tử
̣ ́ ̉ ́
NHÂN XET CUA GIAO VIÊN
.............................................................................................................................................
..............................................................................................................................................
..............................................................................................................................................
..............................................................................................................................................
..............................................................................................................................................
..............................................................................................................................................
..............................................................................................................................................
..............................................................................................................................................
..............................................................................................................................................
..............................................................................................................................................
..............................................................................................................................................
..............................................................................................................................................
..............................................................................................................................................
..............................................................................................................................................
..............................................................................................................................................
..............................................................................................................................................
..............................................................................................................................................
..........................................................................................................
Hưng Yên, tháng 6 năm 2009.
Giao viên hướng dân
́ ̃
Nguyễn Văn A
1
GVHD: …………
SVTH:…………….
- Trường Đại học sư phạm kĩ thuật Hưng yên Đồ án môn
học
Khoa Điện – Điện tử
LỜI NÓI ĐẦU
Ngày nay với sự phát triển nhanh chóng của kỹ thuật bán dẫn công suất l ớn, các
thiết bị biến đổi điện năng dùng các linh kiện bán dẫn công suất đã đ ược s ử d ụng
nhiều trong công nghiệp và đời sống nhằm đáp ứng các nhu cầu ngày càng cao của xã
hội. Trong thực tế sử dụng điện năng ta cần thay đổi tần số của nguồn cung cấp,
các bộ biến tần được sử dụng rộng rãi trong truyền động điện, trong các thiết bị đốt
nóng bằng cảm ứng, trong thiết bị chiếu sáng... Bộ nghịch lưu là bộ biến tần gián
tiếp biến đổi một chiều thành xoay chiều có ứng dụng rất lớn trong thực tế như
trong các hệ truyền động máy bay, tầu thuỷ, xe lửa...
Trong thời gian học tập và nghiên cứu, được học tập và nghiên cứu môn Điện tử
công suất và ứng dụng của nó trong các lĩnh vực của hệ thống sản xuất hiện đại. Vì
vậy để có thể nắm vững phần lý thuyết và áp dụng kiến thức đó vào trong thực t ế,
chúng em được nhận đồ án môn học với đề tài: “ Thiết kế và chế tạo mạch nghịch
lưu một pha”. Với đề tài được giao, chúng em đã vận dụng kiến thức của mình để
tìm hiểu và nghiên cứu lý thuyết, đặc biệt chúng em tìm hiểu sâu vào tính toán thiết
kế phục vụ cho việc hoàn thiện sản phẩm. Dưới sự hướng dẫn chỉ bảo nhiệt tình
của thầy Nguyễn Văn A cùng với sự cố gắng nỗ lực của các thành viên trong nhóm
chúng em đã hoàn thành xong đồ án của mình. Tuy nhiên do thời gian và kiến thức
còn hạn chế nên không tránh khỏi thiếu sót khi thực hiện đồ án này. Vì vậy chúng em
rất mong sẽ nhận được nhiều ý kiến đánh giá, góp ý của thầy cô giáo, cùng bạn bè
để đề tài được hoàn thiện hơn.
2
GVHD: …………
SVTH:…………….
- Trường Đại học sư phạm kĩ thuật Hưng yên Đồ án môn
học
Khoa Điện – Điện tử
Chúng em xin chân thành cảm ơn!
TÊN ĐỀ TAI
̀
Thiêt kế và chế tao mach nghich lưu môt pha
́ ̣ ̣ ̣ ̣
* Số liêu cho trước
̣
- Cac giao trinh và tai liêu chuyên môn
́ ́ ̀ ̀ ̣
- Cac trang thiêt bị đo, kiêm tra tai xưởng thực tâp, thí nghiêm.
́ ́ ̉ ̣ ̣ ̣
*Nội dung cần hoàn thành:
Lâp kế hoach thực hiên.
̣ ̣ ̣
-
- Giới thiệu một số ứng dụng và đặc điểm của mạch nghịch lưu một
pha.
- Phân tích nguyên lý làm việc và các thông số trong mạch nghịch lưu
một và ba pha.
- Thiết kế, chế tạo mạch nghịch lưu một pha đảm bảo yêu cầu:
+ Điện áp đầu vào một chiều U = 12V.
+ Điện áp đầu ra xoay chiều U = 220V - f = 50HZ .
+ Bao vệ quá điên ap đâu ra 10%
̉ ̣́ ̀
+ Bao vệ quá dong điên, quá nhiêt độ cho phân tử công suât
̉ ̀ ̣ ̣ ̀ ́
+ Thí nghiệm, kiểm tra sản phẩm.
3
GVHD: …………
SVTH:…………….
- Trường Đại học sư phạm kĩ thuật Hưng yên Đồ án môn
học
Khoa Điện – Điện tử
- Sản phẩm phải đảm bảo yêu cầu kỹ thuật, mỹ thuật. Quyển thuyết
minh.và các bản vẽ Ao, Folie mô tả đầy đủ nội dung của đề tài.
Giáo viên hướng dẫn
Nguyễn Văn A
PHẦN I
GIỚI THIỆU CHUNG VỀ ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT VÀ
CÁC VAN BÁN DẪN
Điện tử công suất là một chuyên ngành của kỹ thuật điện - điện tử, nghiên
cứu và ứng dụng các phần tử bán dẫn công suất. Nhằm khống chế nguồn năng lượng
điện với các tham số không thay đổi được thành nguồn năng lượng điện với các tham
số có thể thay đổi được để cung cấp cho các phụ tải. Như vậy các bộ biến đ ổi bán
dẫn công suất là đối tượng nghiên cứu cơ bản của điện tử công suất. Trong các bộ
biến đổi các phần tử bán dẫn công suất được sử dụng như các khoá bán dẫn, còn gọi
là các van bán dẫn, khi mở dẫn dòng thì nối tải vào nguồn, khi khoá thì không cho
dòng điện chạy qua các van. Khác với các phần tử có tiếp điểm, các van bán dẫn thực
hiện đóng cắt các dòng điện mà không gây tia lửa điện, không bị mài mòn theo thời
gian, không gây tiếng ồn và có khả năng đóng cắt với tần số rất lớn. Không những
vậy các van bán dẫn còn có thể đóng cắt các dòng điện rất lớn với điện áp cao nhưng
các phần tử điều khiển chúng lại được tạo bởi các mạch điện tử công suất nhỏ, nên
công suất tiêu thụ cũng nhỏ.
Quy luật nối tải vào nguồn trong các bộ biến đổi công suất phụ thuộc vào sơ đồ các
bộ biến đổi và phụ thuộc vào cách thức điều khiển các van trong bộ biến đổi. Quá
trình biến đổi năng lượng sử dụng các van công suất được thực hiện với hiệu suất
4
GVHD: …………
SVTH:…………….
- Trường Đại học sư phạm kĩ thuật Hưng yên Đồ án môn
học
Khoa Điện – Điện tử
rất cao vì tổn thất trong bộ biến đổi chỉ là tổn thất trên các khoá điện tử, nó không
đáng kể so với công suất điện cần biến đổi. Các bộ biến đổi công suất không những
đạt được hiệu suất cao mà các còn có khả năng cung cấp cho phụ tải nguồn năng
lượng với các đặc tính theo yêu cầu, đáp ứng các quá trình điều chỉnh, điều khiển
trong một thời gian ngắn nhất, với các chất lượng phù hợp trong các hệ thống tự
động hoặc tự động hoá. Đây là đặc tính của các bộ biến đổi bán dẫn công suất mà
các bộ biến đổi có tiếp điểm hoặc kiểu điện tử không thể có được
.
1.1 . Lịch sử phát triển và ứng dụng của điện tử công suất:
Trong một thời gian dài ứng dụng của kỹ thuật điện tử chủ yếu sử dụng trong
lĩnh vực biến đổi tần số cao và trong dân dụng. Sự phát triển của truy ền đ ộng điện
nó đã thúc đẩy sự ra đời của điện tử công nghiệp từ những năm 1950. Tuy nhiên,
những ứng dụng của chúng cũng bị hạn chế vì thiếu những linh kiện điện tử công
suất có hiệu suất cao, kích thước nhỏ và đặc biệt là có độ tin cậy cao. Các đèn đi ện
tử chân không và có khí, các đèn thủy ngân không đáp ứng được các yêu cầu khắt khe
của điều khiển công nghiệp.
Sự phát minh ra tranzitor vào năm 1948 do Bardeen, Brattain và Schockly tại phòng
thí nghiệm Bell Telephone_Giải thưởng Nobel năm 1956_nó đánh dấu bước phát triển
cách mạng trong kỹ thuật điện tử. Đến những năm 1960 do sự hoàn thiện của kỹ
thuật bán dẫn, một loạt những linh kiện bán dẫn công suất như diode, tiristor,
tranzitor công suất ra đời.
Đến những năm 1970 thì kỹ thuật vi mạch và tin học ngày càng phát triển tạo nên
những thiết bị điện tử công suất có điều khiển với tính năng ngày càng phong phú và
nó đã làm thay đổi tận gốc ngành kỹ thuật điện. Kể từ đây, kỹ thuật điện và điện tử
cùng hội nhập và thúc đẩy nhau cùng phát triển.
5
GVHD: …………
SVTH:…………….
- Trường Đại học sư phạm kĩ thuật Hưng yên Đồ án môn
học
Khoa Điện – Điện tử
Điện tử công suất với đặc điểm chủ yếu là chuyển mạch (đóng – cắt) với dòng
điện lớn, điện áp cao có thể thay đổi với tốc độ lớn.
Cho đến ngày nay điện tử công suất hầu hết được ứng dụng rất nhiều trong
các ngành công nghiệp hiện đại. Có thể kể ra các nghành kỹ thuật mà trong đó có
những ứng dụng tiêu biểu của bộ biến đổi bán dẫn công suất như truyền động điện
tự động, giao thông đường sắt, nấu luyện thép, gia nhiệt cảm ứng, điện phân nhôm
từ quặng mỏ, các quá trình điện phân trong công nghiệp hóa chất và trong rất nhiều
các thiết bị công nghiệp và dân dụng khác nhau... Trong những năm gần đây công
nghệ chế tạo các phần tử bán dẫn công suất đó có những tiến bộ vượt bậc và ngày
càng trở nên hoàn thiện, dẫn đến việc chế tạo các bộ biến đổi ngày càng gọn nhẹ,
nhiều tính năng và sử dụng ngày càng dễ dàng hơn.
Trong thực tế bộ biến đổi được chế tạo rất đa dạng để có thể hiểu và phân tích
được nguyên lý của các bộ biến đổi, trước hết ta phải tìm hiểu các phần tử bán dẫn
công suất.
1.2.Các phần tử bán dẫn công suất và việc điều khiển chúng:
1.2.1. Chất bán dẫn
Về phương diện dẫn điện, các chất được chia thành hai loại: chất dẫn điện (có
điện trở suất nhỏ) và chất không dẫn điện (có điện trở suất lớn). Chất không dẫn
điện còn gọi là chất cách điện hay là chất điện môi.
Giữa hai loại chất này có một chất trung gian mà điện trở suất của nó thay đổi
trong một giới hạn rộng và giảm mạnh khi nhiệt độ tăng (theo quy luật hàm mũ). Nói
cách khác, chất này dẫn điện tốt ở nhiệt độ cao và dẫn điện kém hoặc không dẫn
điện ở nhiệt độ thấp. Đó là chất bán dẫn (hay chất nửa dẫn điện)
Trong bảng tuần hoàn
(Mendeleep) các nguyên tố bán dẫn
chiếm vị trí trung gian (Hình 1.2.1)
giữa các kim loại và á kim. Điển hình
6
GVHD: …………
SVTH:…………….
- Trường Đại học sư phạm kĩ thuật Hưng yên Đồ án môn
học
Khoa Điện – Điện tử
là Ge, Si… Vì ở phÂn nhóm IV, lớp III IV V VI VII
5 6
ngoài cùng của Ge, Si có 4 điện tử B C
16
14 15
(electron) và chúng liên kết đồng hoá S
Si P
trị với nhau tạo thành một mạng bền 34
32 33
Se
Ge As
vững (Hình 1.2.1-2-a). 50 52 53
51
Sn Sb I
Sb
Hình 1.2.1-1 Các nguyên tố bán dẫn
Khi có một tâm không thuần khiết (nguyên tử lạ, nguyên tử thừa không liên kết
trong bán dẫn, dẫn đến những khuyết tật trong mạng tinh thể: nút chân không, nguyên
tử hay ion giữa các nút mạng, sự phá vỡ tinh thể, rạn vỡ…) thì trường điện tuần hoàn
của tinh thể bị biến đổi và chuyển động của các điện tử bị ảnh hưởng, tính dẫn điện
của bán dẫn cũng thay đổi.
Nếu trộn vào Ge một ít đơn chất thuộc phân nhóm III chẳng hạn như In, thì do
lớp điện tử ngoài cùng của In chỉ có ba điện tử nên thiếu 1 điện tử đ ể tạo cặp đi ện
tử đồng hoá trị. Nguyên tử In có thể sẽ lấy 1 diện tử của nguyên tử Ge lân cận và làm
xuất hiện một lỗ trống (hole) dương
(Hình 1.2.1-b). Ion Ge lỗ trống này lại có thể lấy 1 điện tử của nguyên tử Ge khác để
trung hoà và biến nguyên tử Ge sau thành một lỗ trống mới. Quá trình cứ thế tiếp
diễn và bán dẫn Ge được gọi là bán dẫn lỗ trống hay bán dẫn dương (bán dẫn loại P
– Positive).
Tương tự, nếu trộn vào Ge một ít đơn chất thuộc phân nhóm V, chẳng hạn
như As, thì do lớp điện tử ngoài cùng của As có 5 điện tử nên sau khi tạo 4 cặp điện
tử đồng hoá trị với 4 nguyên tử Ge xung quanh, thì As thừa ra 1 điện tử. Điện tử này
dễ dàng rời khỏi nguyên tử As và trở thành điện tử tự do. Bán dẫn Ge tr ở thành bán
dẫn điện tử hay bán dẫn Âm (bán dẫn loại N – Negative).
Khi nhiệt độ chất bán dẫn tăng hay bị ánh sáng chiếu vào nhiều thì chuy ển đ ộng
của các phần tử mang điện mạnh lên nên chất bán dẫn sẽ dẫn điện tốt hơn.
7
GVHD: …………
SVTH:…………….
- Trường Đại học sư phạm kĩ thuật Hưng yên Đồ án môn
học
Khoa Điện – Điện tử
Ge Ge
Ge Ge
-
Ge In
Ge Ge Ge Ge
a, b,
Hình 1.2.1-2 Sự tạo ra các bán dẫn P(b) và N(c)
Ge
Ge
Các chất bán dẫn có thể là đơn chất như B,
As - C, Si, Ge, S, Se…các hợp chất như ZnS, CdSb,
AlSb…các ôxyt như Al2O3, Cu2O, ZnO, SiO2…các
Ge Ge sulfua như ZnS, CdS….
Hiện nay, các chất bán dẫn được dùng rất
c, nhiều trong các lĩnh vực khoa học, kỹ thuật và đời
sống.
1.2.2.Diode công suất
a>Cấu tạo đặc điểm và phân loại:
-Diode công suất là phần tử bán dẫn có một tiếp giáp PN. Diện tích bề mặt tiếp giáp
được chế tạo lớn hơn so với diode thông thường, có thể đạt tới hàng trục mm 2. Mật
độ dòng điện cho phép của tiếp giáp cỡ 10A/mm. 2 Do vậy dòng điện định mức của
một số loại diode có thể đạt tới hàng trăm ampe, như PK200, thậm chí hàng nghìn
ampe như BB2-1250. Cấu tạo và ký hiệu của diode công suất được mô tả như hình
1.2.2-1
8
GVHD: …………
SVTH:…………….
- Trường Đại học sư phạm kĩ thuật Hưng yên Đồ án môn
học
Khoa Điện – Điện tử
A
A A
P
J
N
K
K
K
Hình 1.2.2-1: Cấu trúc và ký hiệu của diode công suất
-Điode có 2 loại thường được dùng trong các mạch chỉnh lưu công suất lớn:
*Diode chỉnh lưu Gecmani (Ge):
Tiếp giáp của diode Ge phần lớn được chế tạo bằng phương pháp làm nóng chảy IN
(indi) với nhiệt độ thích hợp, trong bán dẫn Ge loại N. Miếng bán dẫn Ge đ ược hàn
với nền bằng thép. Tinh thể Ge được đặt trong vỏ bọc hợp kim cova để bảo vệ và
liên kết với bộ phận tản nhiệt.
-Đặc điểm của Diode Ge là điện áp chịu đựng được khoảng 400V, nhưng sụt áp trên
Diode nhỏ nên được sử dụng trong các bộ chỉnh lưu điện áp thấp. Diode Ge thường
bị đánh thủng do nhiệt độ. Nhiệt độ cho phép của Diode Ge là 750C, nên khi làm việc
ở nhiệt độ cao dòng điện ngược tăng lên đáng kể dẫn đến chất lượng chỉnh lưu thấp,
do vậy ta có thể coi nhiệt độ cho phép là nhiệt độ tới hạn của Diode Ge.
*Diode chỉnh lưu silic (Si):
-Diode chỉnh lưu Si được chế tạo bằng cách làm nóng chảy nhôm trong tinh th ể Si
loại N, hoặc làm nóng chảy hợp kim thiếc phốt pho, hay vàng antimoan trong tinh thể
silic loại P. Ngoài ra người ta còn chế tạo bằng phương pháp khuếch tán
Phốt pho vào tinh thể Si loại N. Công nghệ chế tạo kiểu khuếch tán thường được áp
dụng cho các loại diode công suất lớn.
9
GVHD: …………
SVTH:…………….
- Trường Đại học sư phạm kĩ thuật Hưng yên Đồ án môn
học
Khoa Điện – Điện tử
-Tinh thể Si và tiếp giáp PN được bọc bởi vỏ kim loại, tinh thể bán dẫn đ ược hàn
bằng hợp kim bạc- antimoan hay vàng- antimoan.
- Diode Si có điện áp ngược cho phép cỡ 2500V, nhưng độ xụt diện áp trên Diode Si
cũng cao hơn Diode Ge. Nhiệt độ cho phép của Diode Si khá cao
tmax = 1250C, và hiện tượng đánh thủng chủ yếu cũng là do nhiệt độ.
b>Nguyên lý làm việc và đặc tính vôn – ampe:
-Khi tiếp giáp PN của diode được đặt đưới tác dụng của điện áp bên ngoài, nếu điện
trường ngoài cùng chiều với điện trường E thì vùng nghèo điện tích xẽ được mở
rộng ra, nên điện trở tương đương của diode càng lớn và dòng điện xẽ không thể
chạy qua. Lúc này toàn bộ điện áp xẽ được đặt lênvùng nghèo điện tích, ta nói r ằng
diode bị phân cực ngược. Hình 1.2.2-2.
-Khi điện trường ngoài ngược chiều với điện trường E thì vùng nghèo điện tích xẽ bị
thu hẹp lại. Nếu điện áp bên ngoài lớn hơn 0,65V thì vùng nghèo điện tích xẽ thu hẹp
lại đến bằng không, và các điện tích có thể di chuyển tự do qua cấu trúc của diode.
Dòng điện đi qua diode lúc này chỉ bị hạn chế do điện trở tải ở mạch ngoài. Khi đó ta
nói rằng diode được phân cực thuận.
Hình 1.2.2-3.
E
E ng
ng
+ -
- +
n
p
n
p
+ -
+
-
+
+ + -
+ -
E +
+ -
+ -
Hướng di chuyển các các điện tích
vùng nghèo các điện tích
Hình 1.2.2-3.
Hình 1.2.2-2.
10
GVHD: …………
SVTH:…………….
- Trường Đại học sư phạm kĩ thuật Hưng yên Đồ án môn
học
Khoa Điện – Điện tử
*Đặc tính vôn – ampe:
A A
A
U U U U
n g ,m a x
U U
0 0 0
D0 D0
mA mA mA
§ Æc t Ýn h t h ù c t Õ c ñ a d i o d e § Æc t Ýn h t u y Õn t Ýn h h ã a c ñ a d i o d e § Æc t Ýn h l ý t - ë n g c ñ a d i o d e
Hình 1.2.2-4.
Đặc tính V-A của diode gồm 2 nhánh, nhánh thuận(1) nằm ở góc phần tư thứ
nhất ứng với UAK > 0, nhánh ngược (2) nằm ở góc phần tư thứ ba ứng với
UAK < 0 hình1.2.2-4.
-Trên đường đặc tính thuận của diode nếu điện áp UAK được tăng dần từ 0 đến vượt
quá giá trị UD0 ≈ 0,6 – 0,7V, gọi là điện áp rơi trên diode theo chiều thuận, thì dòng
điện đi qua diode có thể đạt tới giá trị rất lớn, nhưng điện áp rơi trên diode hầu nh ư
không đổi.
-Trên đường đặc tính ngược diode nếu điện áp U AK được tăng dần từ 0 đến giá trị
Ungmax thì dòng điện qua diode có giá trị rất nhỏ, gọi là dòng dò. Cho đ ến khi U AK đạt
đến giá trị lớn hơn Ungmax thì dòng điện qua diode tăng đột ngột, như vậy khả năng
cản trở dòng điện của diode theo chiều ngược bị phá vỡ. Đây là hiện tượng diode bị
đánh thủng.
-Trong những tính toán thực tế người ta thường dùng đặc tính gần đúng đã tuyến tính
hóa của diode. Biểu thức toán học của đường đặc tính này là:
11
GVHD: …………
SVTH:…………….
- Trường Đại học sư phạm kĩ thuật Hưng yên Đồ án môn
học
Khoa Điện – Điện tử
u = UD0 + iDRD
Trong đó: UD0(V); ID (A); RD (Ω ).
-Đặc tính V-A của diode thực tế là khác nhau, nó phụ thuộc vào dòng điện cho phép
và điện áp ngược mà diode chịu được. Theo đặc tính lý tưởng thì điện tr ở tương
đương của diode bằng 0 theo chiều thuận và bằng ∞ theo chiều ngược.
c> Biểu thức giải tích đặc tính V-A
- Đặc tính V-A của diode được biểu diễn gần đúng bằng biểu thức:
q .U
I = Is( e k .T - 1)
Is - Dòng điện rò khoảng vài trục mA.
Trong đó:
q - Điện tích của điện tử (q = 1,59.10-19 C).
k - Hằng số Boltzmann (k = 1,38.10-23 J/K).
T = 2730 + t0 - Nhiệt độ nhiệt đối (0K).
t0 - Nhiệt độ môi trường 0C
u – Điện áp đặt trên diode (V)
d>Các tham số cơ bản của Diode
-Giá trị trung bình của dòng điện cho phép chạy qua diode theo chiều thuận, I D . Trong
quá trình làm việc dòng điện chạy qua diode sẽ làm phát nóng tinh thể bán dẫn của
diode. Công suất tổn hao của diode khi đó sẽ bằng tích dòng điện chạy qua nó v ới
điện áp rơi trên diode. Diode chỉ dẫn dòng theo một chiều từ anốt đến catot. Điều này
có nghĩa là công suất phát nhiệt tỷ lệ với dòng điện trung bình qua diode, Vì vậy giá
trị ID là một thông số quan trọng để lựa chọn một diode trong một ứng dụng cụ thể.
-Giá trị điện áp ngược lớn nhất mà diode có thể chiệu đựng được, Ung,max.
12
GVHD: …………
SVTH:…………….
- Trường Đại học sư phạm kĩ thuật Hưng yên Đồ án môn
học
Khoa Điện – Điện tử
Ung,max là giá trị điện áp ngược lớn nhất mà diode có thể chịu đựng được, đây
cũng là một thông số quan trọng để lựa chọn một diode. Như ở đặc tính
vôn – ampe đã chỉ ra, quá trình diode bị đánh thủng là quá trình không thể đảo ngược
được, vì vậy trong các ứng dụng thực tế khi lựa chọn diode phải luôn đ ảm bảo U AK
Cấu tạo và đặc điểm chung
Transitor công suất có cấu tạo, ký hiệu tương tự như Transitor thường với các
loại như NPN hay PNP. Nó cũng được cấu tạo bởi ba miền bán dẫn, đ ược ghép liên
13
GVHD: …………
SVTH:…………….
- Trường Đại học sư phạm kĩ thuật Hưng yên Đồ án môn
học
Khoa Điện – Điện tử
tiếp nhau, miền ở giữa luôn khác tên với 2 miền bên cạnh, tạo nên hai lớp tiếp giáp
PN. Nếu miền bán ở giữa là loại N thì 2 miền bên cạnh là loại P khi đó ta có lo ại
transitor thuận PNP. Ngược lại nếu miền bán ở giữa là loại P thì 2 miền bên cạnh là
loại N khi đó ta có loại transitor ngược NPN.
- Transior công suất đưa ra ngoài ba cực, cực nối với lớp bán dẫn ở giữa gọi là cực
gốc B (bazơ), cực nối với lớp bán dẫn mà khi làm việc có điện trường ngoài ngược
chiều với điện trường trong gọi là cực phát E (Emitor), cực nối với lớp bán dẫn còn
lại là cực C (Collector).
Collector Collector
C C
p n
J1 J1
B B
n p
Baz¬ Baz¬
J2 J2
n
p E E
Emitor Emitor
Hình 1.2.3-1: Cấu trúc và ký hiệu của tranzitor thuận - ngược
Điểm khác cơ bản với Transitor thường là Transitor công suất thường được sử
dụng như 1 khoá đóng - cắt điện tử. Tiếp giáp của Transitor công suất lớn có diện
tích hàng trục mm2 và nó có thể cho dòng điện qua hàng chục đến hàng trăm Ampe,
chịu được tần số đóng cắt tương đối cao và điện áp làm việc khá lớn, nó còn đ ược
gọi là phần tử khuếch đại chuyển mạch. Transitor có hai điểm làm việc khác biệt.
Hình 1.2.3-2 mô tả sơ đồ một bộ khuếch đại chuyển mạch.
14
GVHD: …………
SVTH:…………….
- Trường Đại học sư phạm kĩ thuật Hưng yên Đồ án môn
học
Khoa Điện – Điện tử
+ Us
R1
R2
U out
U in
t
t
Hình 1.2.3-2. Bộ khuếch đại chuyển mạch
Như vậy, một Transitor làm việc ở trạng thái khoá điện tử thì nó chỉ làm việc
ở hai trạng thái đóng hoặc cắt hay dẫn - không dẫn.
b>. Đường đặc tính làm việc
Đường đặc tính làm việc của Transitor ở trạng thái đóng - cắt được trình bày
như hình vẽ 1.2.3-3. Trong vùng đặc tính đầu ra, Transitor chỉ có hai điểm làm việc:
đóng hoặc cắt hay dẫn hoặc ngưng dẫn.
Ic (A)
Ib
Ucb = 0
A4
A3
+Ub A2
Rc
R2
V1
Uout
A1
R1
Uin
Uce V
Ub
Uce
Uce Uce
Hình 1.2.3-3 Điểm làm việc của công tắc Transitor
15
GVHD: …………
SVTH:…………….
- Trường Đại học sư phạm kĩ thuật Hưng yên Đồ án môn
học
Khoa Điện – Điện tử
Hình vẽ 1.2.3-3. cho thấy Transitor ngừng dẫn ở điểm làm việc A1 (dòng điện
IB = 0) chỉ có một dòng điện rò ICEO phụ thuộc vào nhiệt độ của lớp bán dẫn.
Nếu Transitor dẫn, thì điểm làm việc trong vùng đặc tính đầu ra tăng từ A1
đến A2. Ở đây dòng điện IC tăng tuyến tính với dòng điện IB khi dòng điện IB tăng
càng lớn thì điểm làm việc sẽ chuyển từ A2 vượt qua A3 đến A4. Đến đÂy dòng
điện IC tăng rất ít, có nghĩa là Transitor bị điều khiển quá mức. ở đÂy điên áp U CE
giảm xuống bé hơn điện áp bão hoà UCEsat chúng được gọi là: UCErest
c>Sự điều khiển quá mức của Transitor
Sự điều khiển quá mức là trạng thái hoạt động của Transitor, mà khi có dòng
điện IB quá lớn chạy qua, nó lớn hơn cả dòng điện cần thiết để dòng I C đạt tới cực
đại. Ở điều khiển quá mức thì dòng điện IC thay đổi không còn tuyến tính với dòng IB
nữa. Điểm điều khiển quá mức đạt đến nếu
UBE = UCEsat có nghĩa là UCB = 0. Transitor được điều khiển quá mức nếu nó cần làm
việc như là một công tắc.
Sự điều khiển quá mức có ưu điểm là điện áp dư UCErest rất nhỏ, làm cho công suất
tổn hao bé.
Mức độ điều khiển quá mức được tính toán theo hệ số điều khiển quá mức u
nó chính là tỉ số dòng điện IB thực tế và dòng điện IB’ cần thiết để Transitor điều
khiển đến giới hạn UCB = 0.
u = IB/IB’,
Thông thường tỉ số này được chọn từ u = 2-5.
d> Khuếch đại chuyển mạch với tải là điện trở
Bộ khuếch đại chuyển mạch bằng Transitor được ứng dụng rộng rãi là bộ
chuyển mạch công suất. Trong trường hợp này tải có thể mắc trực tiếp với cực
Collector. Hình 1.2.3-4 và 1.2.3-5 là sơ đồ nguyên lí của một bộ chuyển mạch công
suất với tải là điện trở thuần và miền đặc tính lí tưởng của mạch.
16
GVHD: …………
SVTH:…………….
- Trường Đại học sư phạm kĩ thuật Hưng yên Đồ án môn
học
Khoa Điện – Điện tử
Độ dốc của đường làm việc trên hình 1.2.3-5 được xác định qua đ ộ lớn c ủa
điện trở tải. Ở điểm làm việc A1 (IB = 0A) Transitor không dẫn. ở điểm A2 thì
Transitor dẫn. Vì Transitor điều khiển quá mức nên điện áp U CErest tương ứng nhỏ.
Như vậy trong khi đóng cũng như trong khi cắt mạch điện, điểm làm việc của mạch
chuyển dời giữa điểm làm việc A1 đến A2 dọc theo đường thẳng làm việc đã đ ược
điện trở thuần xác định. Trong thực tế không chỉ có các tải điện trở thuần mà có khi
còn có tải điện dung hoặc điện cảm mắc trong mạch, ví dụ như cuộn dây Rơle hoặc
cuộn dây của nam châm điện, độ tự cảm của chúng trực tiếp làm trở ngại đ ến quá
trình chuyển mạch tiếp giữa các điểm làm việc. Khi ngắt mạch nhanh các điện cảm
này có thể xuất hiện đỉnh điện áp lớn hơn điện áp nguồn nuôi đặt vào Transitor, do
vậy mà có thể dẫn tới tình trạng phá hỏng Transitor. Vì vậy cần có biện pháp bảo vệ
cho các van công suất.
Ic
A2
+Us
Rload
R1
V1
A1
Uin
A
0
Us Uce
Hình 1.2.3-4 Hình 1.2.4-5
e> Khuếch đại chuyển mạch với tải là tụ điện
Mạch khuếch đại chuyển mạch với tải là tụ điện và đường đặc tính tương ứng được
mô tả trên hình 1.2.3.-6 và 1.2.3 -7 Mạch này cần thiết phải lắp thêm điên trở tải vì
nếu không sẽ không có điểm làm việc A2 trong chế độ tĩnh.
17
GVHD: …………
SVTH:…………….
- Trường Đại học sư phạm kĩ thuật Hưng yên Đồ án môn
học
Khoa Điện – Điện tử
Ic
+Us
A2
Rload Cload
R1
V1
A1 Ib= 0A
Uin
Us Uce
Hình 1.2.3.-6 Hình 1.2.3-7
Chuyển mạch công suất với tải tụ Đường đặc tính làm việc với tải tụ điện
điện
f> Khuếch đại chuyển mạch với tải là cuộn dây
Sự hoạt động của bộ khuếch đại chuển mạch công suất với tải là cuộn dây và
đường đặc tính tương ứng mô tả trên hình 1.2.3-8 và 1.2.3-9.
Trong điểm làm việc A1, Transitor không dẫn nên không có dòng điện chạy
qua Rload và Lload Cuộn dây không dự trữ năng lượng từ trường. Trong khoảnh khắc
đóng mạch khi có dòng điện IB thì xuất hiện trong cuộn dây một sức điện động cảm
ứng. Lúc đầu nó nhỏ hơn điện áp nguồn nuôi US và nó nhỏ dần. Chính sức điện động
cảm ứng này sinh ra dòng điện có chiều ngược với chiều dòng I C, nên dòng IC bị tác
động chỉ tăng từ từ. Điểm làm việc chuyển dời trong pham vi quá độ trên đường đặc
tính mô tả là phía dưới theo chiều mũi tên tới làm việc A2.
18
GVHD: …………
SVTH:…………….
- Trường Đại học sư phạm kĩ thuật Hưng yên Đồ án môn
học
Khoa Điện – Điện tử
+Us Ic
Rload
A2
Khong co
Co Diode bao
Lload Diode bao ve
ve
R1 A1 Ib= 0A
V1
Us Uce
Uin
Hình 1.2.3-8 Hình 1.2.3-9
Chuyển mạch công suất với tải điện Đường đặc tính làm việc với tải điện cảm
cảm
Ở điểm làm việc A2 Transitor dẫn một dòng collector nhất định. Dòng này
chạy qua Rload và Lload. Trong cuộn dây lúc này dự trữ một năng lượng từ trường.
Trong khoảnh khắc ngắt mạch, Transitor không dẫn, như vậy kéo theo một sự cùng
đổ vỡ của từ trường và năng lượng dự trữ sẽ được giải phóng. Nó xuất hiện một
sức điện động tự cảm UL mà cực dương của nó đặt trực tiếp vào cực C của
Transitor, độ lớn của sức điện động tự cảm này phụ thuộc vào năng lượng dự trữ và
sự nhanh hay chóng của quá trình ngắt (thời gian quá trình ngắt). Lúc này điểm làm
việc chuyển dời trong phạm vi quá độ trên đường đặc tính phía trên theo hướng mũi
tên tới điểm làm việc A1.
19
GVHD: …………
SVTH:…………….
- Trường Đại học sư phạm kĩ thuật Hưng yên Đồ án môn
học
Khoa Điện – Điện tử
Qua hiện tượng tự cảm, trong quá +Us
trình ngắt mạch có thể sẽ xuất hiện trên Rload
cực C của Transitor một điện áp quá cao,
cao hơn cả điện áp US. Điều này có thể
Lload
dẫn tới tình trạng làm hỏng Transitor, do
đó các mạch có tải là các cuộn dây R1
thường cần có biện pháp bảo vệ. V1
Uin
Một trong những biện pháp bảo
vệ là người ta thực hiện theo sơ đồ
hình 1.2.3-10 Hình 1.2.3-10 Mạch bảo vệ bằng Diode
cho mạch khuếch đại chuyển mạch
công suất
1.2.4. TRANSITOR TRƯỜNG – FIELD EFFECT TRANSISTOR
1.2.4.1. Khái niệm
Transitor trường được viết
Đường điện tử
tắt là FET (Field effect Transitor) Tinh thể bán dẫn loại N
là loại Transitor có tổng trở đầu
vào rất lớn khác với Transitor
lưỡng cực BJT +
Điện trường
U2
( Bipolar Junction Transitor) loại
-
NPN hay PNP có tổng trở đầu vào
tương đối nhỏ ở cách lắp ráp -U1
thông thường kiểu E chung.
Hình 1.2.4-1. Sơ đồ nguyên lí hoạt động của
FET
20
GVHD: …………
SVTH:…………….
nguon tai.lieu . vn