Phòng thí nghiệm trọng điểm quốc gia: Vật liệu linh kiện và điện tử

Đăng ngày | Thể loại: | Lần tải: 0 | Lần xem: 0 | Page: 17 | FileSize: M | File type: PDF
of x

Phòng thí nghiệm trọng điểm quốc gia: Vật liệu linh kiện và điện tử. Nội dung tài liệu giới thiệu phòng thí nghiệm Trọng điểm Quốc gia về Vật liệu và Linh kiện Điện tử được xây dựng tại Viện Khoa học Vật liệu - Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam: khu công nghệ chế tạo và đo đạc các tính chất đặc trưng của vật liệu và linh kiện điện tử; khu công nghệ chế tạo vật liệu từ tiên tiến.. Giống những thư viện tài liệu khác được thành viên giới thiệu hoặc do tìm kiếm lại và giới thiệu lại cho các bạn với mục đích nâng cao trí thức , chúng tôi không thu tiền từ bạn đọc ,nếu phát hiện nội dung phi phạm bản quyền hoặc vi phạm pháp luật xin thông báo cho chúng tôi,Ngoài tài liệu này, bạn có thể download tài liệu, bài tập lớn phục vụ tham khảo Một ít tài liệu tải về sai font không xem được, có thể máy tính bạn không hỗ trợ font củ, bạn tải các font .vntime củ về cài sẽ xem được.

https://tailieumienphi.vn/doc/phong-thi-nghiem-trong-diem-quoc-gia-vat-lieu-linh-kien-va-dien-tu-j8dbuq.html

Nội dung


PHÒNG THÍ NGHIỆM TRỌNG ĐIỂM QUỐC GIA

VẬT LIỆU LINH KIỆN VÀ ĐIỆN TỬ

NATIONAL KEY LABORATORY
FOR ELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES

1

Phòng thí nghiệm Trọng điểm Quốc gia về Vật liệu và Linh kiện Điện tử được
xây dựng tại Viện Khoa học Vật liệu - Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt
Nam. PTNTĐ được chia thành hai khu công nghệ chính:
1. Khu công nghệ chế tạo và đo đạc các tính chất đặc trưng của vật liệu và linh
kiện điện tử
2. Khu công nghệ chế tạo vật liệu từ tiên tiến
Khu công nghệ chế tạo và đo đạc các tính chất đặc trưng của vật liệu và linh
kiện điện tử được xây dựng tại nhà A2 - Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ
Việt Nam với tổng diện tích khoảng 800 m2, được bố trí thành các khu chức năng
sau:
- Khu công nghệ chế tạo vật liệu và linh kiện (Tầng 3, nhà A2):
Có nhiệm vụ nghiên cứu công nghệ chế tạo các vật liệu (khối, màng, hạt
nano) và linh kiện tiên tiến, có triển vọng trong kỹ thuật điện tử như: vật liệu thuỷ
tinh pha đất hiếm, vật liệu quang tử, vật liệu laser rắn, công nghệ Si ở kích thước
giới hạn, công nghệ vi cơ điện tử (MEMS/NEMS).
PTNTĐ đã trang bị các thiết bị công nghệ chế tạo linh kiện, xây dựng phòng
sạch cho phép thực hiện công nghệ quang khắc, hệ thống xử lý hoá, rung rửa siêu
âm, thiết bị quay phủ, tạo nước khử iôn, v.v… Nhiều thiết bị đầu tay như đo độ
pH, đo độ dẫn điện, hệ thống lò nung nhiệt độ cao, lò oxy hoá nhiệt, thiết bị chế tạo
linh kiện trên quang sợi sử dụng laser, hàn chíp sử dụng laser, v.v... đã được trang
bị.
- Khu phân tích cấu trúc và đo tính chất của vật liệu và linh kiện (Tầng 2, nhà A2):

2

Có chức năng phân tích cấu trúc, đo tính chất điện, từ, quang của vật liệu, linh
kiện điện tử, quang điện tử. Có thể nói đây là điểm mạnh của PTNTĐ, Viện Khoa
học Vật liệu. So với nhiều cơ sở nghiên cứu trong nước, hệ thống các thiết bị đo và
phân tích cấu trúc của PTNTĐ là đồng bộ và hiện đại với nhiều thiết bị tiên tiến
như: thiết bị hiển vi điện tử quét phân giải cao FESEM và phân tích thành phần
EDX Hitachi S-4800 (phân giải 1.4 nm); thiết bị đo tính chất vật lý PPMS
(Quantum Design) trong từ trường cao đến 7 Tesla, trong giải rộng nhiệt độ; thiết
bị phân tích sử dụng tia X, thiết bị đo phổ tán xạ Raman; thiết bị quét đầu dò đa
chức năng SPM; thiết bị phân tích phổ sợi quang; thiết bị đo phổ hấp thụ hồng
ngoại; thiết bị đo quang phổ phân giải cao; độ nhạy cao; v.v...
- Khu thiết kế chế tạo thử nghiệm và mô phỏng-mô hình hoá (Tầng 2, nhà A2):
PTNTĐ đã xác lập khu thiết kế chế tạo thử và trang bị hệ thống máy tính cho
mô phỏng, mô hình hoá chủ yếu là các hệ vật lý có cấu trúc nano và các hệ thấp
chiều dựa trên các bán dẫn và vật liệu từ.
- Khu công nghệ chân không, CVD (Tầng 1, nhà A2):
Các thiết bị chân không như thiết bị phún xạ cathode chuyên dụng chế tạo các
màng mỏng từ đa lớp; thiết bị chế tạo điện cực kim loại; thiết bị bốc bay bằng laser
được bố trí ở tầng 1 nhà A2. Các thiết bị trên được bổ sung kết hợp với một số thiết
bị chân không có từ trước của Viện KHVL như thiết bị bốc bay bằng chùm điện tử,
thiết bị lắng đọng hoá học pha hơi MPCVD tạo vật liệu kim cương nhân tạo, vật
liệu ống nanô các bon.

3

KHU THIẾT BỊ CÔNG NGHỆ
CHẾ TẠO VẬT LIỆU VÀ LINH KIỆN ĐIỆN TỬ

EQUIPMENTS FOR FABRICATION OF
ELECRONIC MATERIALS AND DEVICES

4

HỆ BAY HƠI CHÂN KHÔNG
MINI SPUTTER
Nơi đặt máy/Location
P 312, Nhà A2
Cán bộ phụ trách/Administrator
TS. Phan Ngọc Hồng/PGS. Vũ Đình Lãm
ĐT:
Email: hongpn@ims.vast.ac.vn

- Kích thước bia kim loại: f 50.8 mm
- Diện tích vùng lắng đọng: f 40 mm
- Độ đồng đều của màng: 10%
- Dễ dàng thay bia kim loại

I. GIỚI THIỆU
Hệ Mini Sputter là thiết bị bay hơi chân không
hiện đại được sử dụng để tạo điện cực, màng
mỏng các vật liệu. Màng mỏng các vật liệu
được lắng đọng bằng kỹ thuật phún xạ Katôt
trong môi trường khí Ar. Bằng kỹ thuật này có
thể chế tạo màng mỏng của hầu hết các vật
liệu kim loại, các hợp chất. Màng mỏng nhận
được bằng phương pháp phún xạ thường có độ
sạch khá cao do không có tương tác của vật
liệu với vật liệu thuyền như trong kỹ thuật bốc
bay nhiệt.

III. CÁC YÊU CẦU VỀ MẪU VÀ CÁC
KHẢ NĂNG CỦA HỆ
Yêu cầu về mẫu :
- Kích thước mẫu tối đa có đường kính
40mm
- Các đế sử dụng để tạo màng cần đảm bảo
sạch, không có các thành phần nhả khí mạnh
trong môi trường chân không
- Vật liệu nguồn ở dạng đĩa kích thước:
50.8mm×5mm với các vật liệu không từ tính
50.8mm×2mm với các vật liệu từ tính
Khả năng bốc bay :
- Chiều dày của các lớp màng có thể đạt từ
vài nano và cao nhất đạt dưới 1mm
- Có thể tạo được màng mỏng của hầu hết
kim loại hoặc một số các hợp chất.

II. ĐẶC ĐIỂM CỦA THIẾT BỊ
- Kích thước buồng chân không: f 312 mm,
chiều cao 42 mm
- Mức độ chân không tối đa 7x10-5 Pa (5.0
x10-7 torr)
- Nguồn phát xạ RF 200W

5

1102913