Xem mẫu

  1. Chương 4: Mạch dao động CHƯƠNG 4 MẠCH DAO ĐỘNG Trang bị cho sinh viên: Kiến thức về nguyên lý hoạt động và xác định các thông số của mạch dao động. 4.1. NGUYÊN LÝ HÌNH THÀNH DAO ĐỘNG Dao động và tổng hợp tần số là phần rất quan trọng của điện tử thông tin. Trong tài liệu này chỉ xét dao động sin cao tần. Mạch dao động biến đổi năng lượng điện nguồn một chiều thành xoay chiều. Thông số quan trọng nhất của bộ dao động: độ bất ổn tần số tương f  fo đối   . Trong đó fo - tần số dao động cần có; f - tần số dao động có được. Các fo mạch dao động LC cho  = 10-3, -4. Dao động thạch anh có  = 10-6,-7,-8,-9 được dùng làm dao dộng chuẩn. f  fo gọi là độ bất ổn định tần số tuyệt đối. Các thông số khác của bộ dao động: công suất ra, dải tần, trở kháng ra. Hình 4.1. Sơ đồ khối bộ dao động Mạch dao động gồm mạch khuếch đại và mạch hồi tiếp dương đồng thời làm tải chọn lọc cao tần của khuếch đại. Độ lợi khuếch đại điện áp không hồi tiếp   Vo (ñieän aùp ra maïch khueách ñaïi)  A v V  i (ñieän aùp vaøo maïch khueách ñaïi) Một phần điện áp ra V  f đưa vế hồi tiếp dương cho mạch khuếch đại. Hệ số truyền đạt mạch hồi tiếp:  f  Vf  B V o 52
  2. Chương 4: Mạch dao động V f  B  f .V  o - điện áp hồi tiếp ghép nối tiếp với nguồn điện áp kích khởi ban đầu V  s . Hồi tiếp âm nếu pha V s và V  ngược nhau, khi đó V f i  V s  V  f giảm, điện áp ra V  o giảm. Hồi tiếp dương nếu V s và V  f cùng pha dẫn đến V  o tăng tức là có dao động. Xét hồi tiếp dương: V o  V  i .A   (V v s  V  f )A   (V v s  B  f .V  o )A  A v  V v s  A v .Bf .Vo     Để có tự dao động thì V s = 0 suy ra A  .B v  f 1 Điều kiện A  .B v  f  1 còn gọi là tiêu chuẩn Barkhausen. Thông thường A  .B v   1 , tức là f mạch khuếch đại bù được suy hao của mạch hồi tiếp. Nếu A v .Bf  1 mạch không dao   động. V A Dạng khác, V s = 0 ta có : o  v A  vf Vi 1 A  B  v f A vf - hệ số khuếch đại điện áp có hồi tiếp dương. Nếu A  .B v  f  1 thì A    mạch tự vf dao động. Từ tiêu chuẩn Barkhausen, có điều kiện dao động về biên độ và pha: A, B pha của mạch khuyếch đại và mạch hồi tiếp. Av.Bf = 1 A + B = 2n; n = 0, 1, 2, 3, … Một số bộ dao động: Bộ tạo dao động ở tần số thấp, trung bình: dùng bộ khuếch đại thuật toán + RC hoặc dùng Transistor + RC. Bộ tạo dao động ở tần số cao: 0,3f  f0  3f dùng Transistor + LC hoặc dùng Transistor + thạch anh. Bộ tạo dao động ở tần số siêu cao: dùng Diode Tunel, Diode Gunn. Các tham số cơ bản của mạch dao động: tần số dao động, biên độ điện áp ra, độ ổn định tần số, công suất ra, hiệu suất. Trong chương này ta chỉ xét mạch dao động LC, dao động thạch anh và chỉ xét điều kiện dao động của mạch. 4.2. MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG KHI PHÂN TÍCH MẠCH DAO ĐỘNG Xét mạch dao động Colpitt như sau: 53
  3. Chương 4: Mạch dao động Hình 4.2. Mạch dao động dạng Colpitt Mạch tương đương của mạch dao động như hình sau: Hình 4.3. Mạch tương đương Giả sử bỏ qua điện trở ra BJT, RB đủ lớn, tụ CB coi như nối tắt về AC. Ta có: |Av|.|Bf| = 1 và A = B = 0 là điều kiện dao động. VT 26 (mV) Tụ C2//RE//ri =  (điện trở vào tầng khuếch đại mắc CB) IC I C (mA ) Hệ số phẩm chất Q của mạch dao động có tải lớn. Điện áp ngỏ ra mạch hồi tiếp: Vo C1 V (4.1) C1  C2 Trở kháng tương đương mạch cộng hưởng: 2 r R  C  C2  Req  i E  1  (4.2) ri  R E  C1  Hệ số truyền đạt: V  C1  Bf    Vo  C1  C2  (4.3) 54
  4. Chương 4: Mạch dao động 1 V R eq .R L Tại cộng hưởng: o  ; A = B = 0 và A v  o  gm .ZL gm . . C1C2 V R eq  R L L C1  C2 Điều kiện dao động về biên độ: R eq .R L C1 A v . Bf gm . . 1 R eq  R L C1  C2 2  C  C2  Nếu RE >> ri thì Req  ri  1  ; A v . Bf  1  C1  Thường chọn bằng 3 (bù trừ sai số gần đúng). Ở trạng thái xác lập: C1 C1 A v . Bf g m ri  3 C1  C2 C1  C2 Chọn RL >> Req để ít ảnh hưởng tới trở kháng tương đương mạch cộng hưởng. Ví dụ 4.1: Cho sơ đồ trên, cho IC = lmA; Vcc = 12V; fo = 20MHz,  = 100. Tính mạch dao động. Giải: 1 V 26 mV Ta có: ri   T   26 gm IC 1 mA C2 Chọn C1   500 p có L = 0,19H 2 2  C  C2  R eq  ri  1   234  C1  Chọn RL = 1,5K >> Req CB = 1F 55
  5. Chương 4: Mạch dao động VE 3V RE    3k I C 1 mA Vcc  VE  VCE 12  3  6 RC    3k IC 1 mA Vcc  VE  VR c  7 12  3  6  7 RB    530 k (IC / ) 1/ 100 4.3. CÁC MẠCH DAO ĐỘNG CƠ BẢN 4.3.1. Mạch dao động Hartley Mạch dao động Hartley thường dùng trong công nghiệp hoặc những nơi không cần ổn định tần số cao như lò tôi cao tần, dán cao tần. Hình 4.4. Mạch dao động Hartley Các thông số của mạch được xác định: 1 o  (4.4) (L1  L2 )C3 XL2 L2 Bf   (4.5) X L1 L1 4.3.2. Mạch dao động Colpitt Xét mạch dao động Colpitt mắc CB như hình vẽ. 56
  6. Chương 4: Mạch dao động Hình 4.5. Mạch dao động Colpitt Các thông số của mạch được xác định: xem R1,2 >> hie 1 o  CC (4.6) L3 1 2 C1  C2 XC 2 C1 Bf   (4.7) X C1 C2 4.3.3. Mạch dao động dịch pha Mạch dao động dịch pha dùng Op-Amp Hình 4.6. Sơ đồ khối của mạch dao động dịch pha Trong dao động dịch pha, khối A là mạch khuếch đại đảo và được nối tới ba bộ lọc thông cao RC, nên gọi là mạch dao động dịch pha. Các mạch lọc RC dùng để dịch pha tín hiệu đi 1800 tạo tín hiệu hồi tiếp dương ở ngõ vào. Đối với mạch lọc thông cao RC, tín hiệu sau khi đi qua mạch lọc thông cao sẽ lệch pha đi so với tín hiệu vào từ 0 đến 900 tùy thuộc vào tần số của tín hiệu vào. Như vậy số mạch lọc RC phải thỏa mãn sao cho khi tín hiệu đi qua sẽ tạo được tín hiệu hồi tiếp dương ở ngõ vào hay tổng góc lệch pha của tín hiệu sau khi đi qua khâu hồi tiếp là 1800, vậy trong 57
  7. Chương 4: Mạch dao động trường hợp sử dụng ba mạch lọc RC như hình 4.6 thì mạch sẽ dao động tại tần số tín hiệu có góc lệch pha 600 sau khi đi qua một mạch lọc RC. Hình 4.7. Khâu hồi tiếp của mạch dao động dịch pha Xét hình 4.7 ta có:   V0  I  X c  R   I R 1 2      0I 2  2 R  X c   R  I  I 1 3     0I 3  2R  X c   R I 2  V fb  I R 3 Trong đó: 1 Xc   j C Thay giá trị vào ta được: V fb R3 1    V0 R3  5RX C2  6 R 2 X C  X C3 X2 X X3 1 5 C 2  6 C  C3 R R R 1  1  1 1  (4.8) 1 5  j6  3   RC  2   RC  RC     Mạch dao động tại tần số có hồi tiếp dương hay:   1800 theo biểu thức (4.8) 1 1 Theo (4.8) ta có: b1  6  0  RC  RC 3 Vậy mạch sẽ dao động tại tần số: 58
  8. Chương 4: Mạch dao động 1 1 0  hay f 0  6RC 2 6 RC (4.9) Khi phải thỏa điều kiện về biên độ A=1, ta thay giá trị tần số tín hiệu dao động của mạch vào công thức (4.9) ta được:   1/ 29 Vậy để mạch duy trì dao động, mạch khuếch đại A phải có hệ số khuếch đại A  29 Mạch dao động dịch pha dùng transistor Hình 4.8. a. Mạch dao động dùng JFET; b. Mạch dao động dùng BJT - BJT và FET được phân cực ở trạng thái khuếch đại. - Hồi tiếp là nhánh ba mắc xích RC. - Tụ CE và CS có giá trị lớn cho qua tín hiệu nhiễu và các tín hiệu tần số quá trình dao động tạp âm ở tần số cao nảy sinh trong quá trình dao động và tạp âm có tần số cao. Mạch dao động dịch pha RC dùng Op-Amp có sơ đồ như hình 4.9 59
  9. Chương 4: Mạch dao động Hình 4.9. Mạch dao động dịch pha RC Theo điều kiện dao động thì A  1 , ta suy ra 1 A  29  RF Suy ra A    29 RI Hay RF  29 RI Chú ý: giá trị của RI vì ngõ vào V-=V+=0V nên RI//R của tầng RC cuối cùng sẽ gây sai số lệch pha. Để kết quả trùng với tính toán thì RI >> R để RI//R≈R hoặc bỏ qua điện trở R và RI được thay bằng R. Mạch hoàn chỉnh như hình 4.10 Hình 4.10. Mạch dao động dịch pha trong thực tế. - A bộ khuếch đại. - Biến trở RF ổn định chống tạp âm - D1D2 đóng vai trò ổn định dao động với tần số 0 4.3.4. Mạch dao động cầu Wien 60
  10. Chương 4: Mạch dao động Một bộ dao động thực tế là dùng khuếch đại thuật toán và mạch cầu RC, với tần số dao động được xác định bởi R và C (gồm RC nối tiếp và RC mắc song song) Hình 4.11. Sơ đồ khối của mạch dao động cầu Wien Với A là bộ khuếch đại không đảo Hình 4.12. Sơ đồ mạch cầu Wien Xét sơ đồ như hình 4.12 ta có: R2 / / X C 2 V fb  V0 R1  X C1   R2 / / X C 2  V fb R2 / / X C 2   V0 R1  X C1   R2 / / X C 2  R2 X C 2 R2  X C 2  RX R1  X C1  2 C 2 R2  X C 2 R2 X C 2  R1 R2  R1 X C1  R2 X C1  X C1 X C 2  R2 X C 2 61
  11. Chương 4: Mạch dao động 1  R1 X C1 R X 1   1  C1 R2 X C 2 X C 2 R2 1 1 Thay X C1   j và X C 2   j C1  C2 1  R C  1  (4.10) 1  1  2  j  R1C2  R2 C1  C1R2  Trong mạch dao động caaud Wien, do A là mạch khuếch đại không đảo, vì vậy để thỏa mãn yêu cầu về pha thì:   00  1   R1C2  C R  Hay arctg   1 2   00  R1 C2 1      R2 C1  Vậy mạch sẽ dao động tại tần số 0 1 1  hay f  (4.11) R1 R2C1C2 2 R1 R2C1C2 Để mạch duy trì dao động tại tần số của công thức (4.11), phải thỏa điều kiện về biên độ, khi đó tại tần số dao động: 1 1   R C 1 1  2 3 R2 C1 R1 C2 Vậy: A  1   R2 C1 Nếu ta chọn giá trị linh kiện trong mạch là: C1=C2=C và R1=R2=R, thì tần số dao động của mạch là: 1 f  2 RC Và để mạch dao động thì mạch khuếch đại A phải thỏa: A=3 Sau đây, chúng ta sẽ khảo sát một mạch dao động cầu Wien dùng Op-Amp 62
  12. Chương 4: Mạch dao động Hình 4.13. Mạch dao động cầu Wien Điều kiện dao động là A  1 nhưng để dao động được thực hiện khi mới cấp điện, điều kiện sẽ là A  1 sau đó mạch phải tự ổn định A  1 . Mạch dao động cầu Wien dùng Op-Amp thực tế như hình 4.14 Hình 4.14. Mạch dao động cầu Wien trong thực tế 4.3.5. Mạch dao động Clapp Hệ số ghép ngõ ra mạch khuếch đại vào mạch cộng hưởng: X C P  C1  eq (4.12) XC eq C1 1 1 1 1 Trong đó:    Ceq C1 C2 C3 63
  13. Chương 4: Mạch dao động Hình 4.15. Mạch dao động Clapp 1 o  (4.13) L3 (C1 nt C2 nt C3 ) 1 C Nếu C1,2 >> C3  Ceq  C3  o  và P  3  1 tức là ghép lỏng ngỏ ra L 3 C3 C1 mạch khuếch đại vào mạch cộng hưởng, giảm ảnh hưởng điện dung ký sinh BJT đến tần số dao động. Do đó mạch dao động Clapp ổn định hơn Colpitt. X C Bf  C 2  1 (4.14) X C1 C 2 4.3.6. Dao động thạch anh (Crystal OSC) Mạch điện tương đương thạch anh: gồm nhiều nhánh có tần số cộng hưởng nối tiếp gần bằng số lẻ tần số cơ bản (fs, fp). Các tần số này gọi là overtones Frequency. Trong một khoảng tần số nhỏ quanh tần số cộng hưởng, mạch điện tương đương có sơ đồ đơn giản sau: Hình 4.16. Mạch tương đương của thạch anh 64
  14. Chương 4: Mạch dao động XL T Q TA  rất lớn cỡ 105  106. Giá trị LT, CT phụ thuộc kích cỡ, chiều cắt thạch anh. rT Điện trở rT đặc trưng tổn hao của mạch thạch anh, chủ yếu do điện cực, cấu trúc ráp, điện trở dây nối ra. LT khoảng (16  6000)mH Bảng 4.1. Thông số thạch anh của JAN crystals Tần số (MHz) Mode cơ bản rT () CT (pF) Co (pF) 1,0 - 400 0,008 3,2 2,097 - 270 0,010 4,3 5,7 - 25 0,021 5,1 7,16 - 30 0,029 6,4 8,5 - 20 0,027 5,9 9,5 - 30 0,27 5,5 20 - 20 0,026 5,8 26 3 40 0,003 6,2 80 5 60 0,0005 6,1 100 5 60 0,00011 2,9 Trở kháng tương đương của thạch anh:  1  1   rT  jL T  .   jCT   jCo  z TA  1 1 rT  jL T   jCT jCo Do rT
  15. Chương 4: Mạch dao động Hình 4.17. Đặc tính điện kháng của thạch anh Tần số cộng hưởng nối tiếp suy ra từ S2LTCT - 1 = 0 suy ra: 1 S  (4.15) L T CT Tần số cộng hưởng song song: CT + Co - p2LTCTCo = 0 suy ra: 1 p   S vì Co >> CT CoCT (4.16) LT Co  CT Trong khoảng S  p, thạch anh có tính cảm kháng, dùng trong mạch dao động thạch anh kiểu song song. Tại S thạch anh coi như thuần trở rất nhỏ rT, dùng trong mạch dao động thạch anh kiểu nối tiếp. Ta có tỷ số: Giá trị k nằm giữa 250 và 400. fp C C  1  1  1  1  1  2k  1 fs Co 2Co Ví dụ 4.2: Với fp = 1MHz, tìm tần số fs? Giải: Từ bảng thông số thạch anh có: Co 3,2  C  k   400; fs  fp / 1  1   0,999 MHz C1 0,008  2Co  66
  16. Chương 4: Mạch dao động BÀI TẬP CHƯƠNG 4 4.1. Thiết kế bộ dao động Colpits, cộng hưởng tại tần số f o = 10 MHz; hệ số phẩm chất riêng của khung cộng hưởng Qo = 100; L = 1H; dùng Transistor có các tham số fT = 3500MHz, hfe = 100, Cb’c = 1pF; Cb’e = 100pF; CCE = 5pF. 4.2. Thiết kế bộ dao động Colpits có giả thiết như bài 4.1 nhưng chỉ khác fT = 350MHz, r’be = 500. 4.3. Một mạch dao động Colpits dùng transistor có C1=10nF; C2=2500pF và L=40µH. Hãy tính tần số dao động của mạch. 4.4. Hãy thiết kế một mạch dao động dịch pha sử dụng Op-Amp có RI=20kΩ; R=1kΩ. Hãy tính giá trị RF và C để mạch tạo ra són sin có tần số f0=1kHz. 4.5. Tính tần số dao động của mạch cầu Wien có R1=R2=51kΩ; C1=C2=1nF. 4.6. Thiết kế mạch dao động cầu Wien có f0=10kHz 4.7. Thiết kế bộ dao động Clapp có giả thiết như bài 4.2 4.8. Thiết kế bộ dao động Clapp có giả thiết như bài 4.2 nhưng chỉ khác cộng hưởng tại tần số fo = 100MHz. 4.9. Thiết kế bộ dao động Thạch anh có giả thiết như bài 4.2 nhưng không cho biết L và thông số thạch anh là Cq = 0,1pF, Cp = 10pF. 4.10. Thiết kế bộ dao động Thạch anh có giả thiết như bài 4.1 nhưng không cho biết L và thông số thạch anh là Cq = 0,1pF, Cp = 10pF. 4.11. Thiết kế bộ dao động cầu Wien có tần số dao động fo = 1 KHz và R = 1K. 4.12. Thiết kế bộ dao động cầu T có tần số dao động fo = 1 KHz và R = 1K. 4.13. Thiết kế bộ dao động dời pha RC có tần số dao động fo = 1 KHz và R = 1K. 4.14. Thiết kế bộ dao động LC dùng OP-AMP có tần số dao động fo = 100 KHz; Qo = 50 và Rtđo = 5K trong hai trường hợp: a) L, C mắc nối tiếp. b) L, C mắc song song 67
  17. Chương 5: Mạch cộng hưởng CHƯƠNG 5 MẠCH CỘNG HƯỞNG Trang bị cho sinh viên: Kiến thức về nguyên lý hoạt động, thông số của mạch cộng hưởng và mạch phối hợp trở kháng. 5.1. MẠCH CỘNG HƯỞNG SONG SONG Trong chương này ta sẽ khảo sát mạch khuếch đại tín hiệu trong một băng tần hẹp với tần số trung tâm là w0. Mạch khuếch đại này được thiết kế để loại bỏ các tần số nằm dưới tần số cắt thấp fL và trên tần số cắt cao fh. Mạch cộng hưởng được sử dụng rộng rãi trong hầu hết các thiết bị viễn thông. Biên độ Pha Biên độ 3dB Pha L o h L h o Đáp ứng lý tưởng Đáp ứng thực tế Hình 5.1. Đáp ứng mạch cộng hưởng Mạch khuếch đại cộng hưởng song song như hình vẽ (bỏ qua các thành phần phân cực). L Rc RL ii C’ ri rc Hình 5.2. Sơ đồ mạch gmvb’e L + iL Rp ii ri Rp C vb’e rb’e L L RL - rc Hình 5.3. Mạch tương đương C’ là điện dung ngoài bao gồm cả điện dung cuộn cảm. Trước khi tiến hành tính toán, ta giả sử: RL
  18. Chương 5: Mạch cộng hưởng Với C = C’ + Cb’e + (1+gmRL)Cb’c. C’ là điện dung bên ngoài được cộng vào. Cuộn dây được xem tương đương với một L và một điện trở rc mắc nối tiếp tiêu biểu cho sự mất mát. Hệ số phẩm chất tiêu biểu cho cuộn dây là: L Qc   1 rc Điện dẫn tương đương của cuộn dây: r  jL  1  rc  2 1 1 1 1 Yc   2c        rc  jL rc   L  rc  L  2 2 jL R p jL 2  L   R p  rc    rc Q c2  LQ c  rc  Cuộn dây được xem tương đương với một L và rc mắc nối tiếp. Điện trở Rp là một hàm theo w nếu rc và L là hằng số. Đặt R  ri // R p // rb 'e . Độ lợi dòng điện của bộ khuếch đại là: i L  i L  v b '   gm gmR Ai        (5.1) i i  v b '  i i  1 1 R  sC  1  sRC  R sL sL Thế s = jw, ta được:  gmR  gmR Ai   (5.2)  R        1  j RC   1  j0 RC     0   L   0     1 với:  02  (5.3) LC Chúng ta định nghĩa hệ số phẩm chất ngõ vào điều hợp ở tần số cộng hưởng w0 là: R Qi    0 RC . Giải tích mạch và các vấn đề thiết kế ở trên giả sử rằng Qi và Qc lớn 0 L hơn 5.  gmR  Ai  (5.4)    1  jQ i      0    0    Đạt cực đại tại tần số = w0 và bằng Aim = -gmR. Băng thông của mạch khuếch đại được xác định bằng cách cho: 69 fL f0 fh
  19. Chương 5: Mạch cộng hưởng gmR Ai  ta được phương trình 2 sau: 2   0  1  Q  2    2   i  0  Giải phương trình này ta sẽ được hai nghiệm đó là fh và fL. Băng thông 3 dB có thể xác định được: 0 1 BW  f h  f L   (5.5) 2Q i 2RC Tích số độ lợi khổ tần: gm GBW  A im BW  (5.6) 2C So sánh tích số của độ lợi khổ tần trong các chương trước ta thấy tỉ số độ lợi khổ tần giống như trường hợp ghép RC và chỉ phụ thuộc vào gm của transistor và tổng số điện dung ngõ vào. Do đó việc thêm vào cuộn dây điều hợp có hệ số phẩm chất Q cao chỉ có tác dụng chuyển đường cong đáp ứng của bộ khuếch đại RC (có cùng độ lợi) dọc theo trục tần số mà không làm giảm độ rộng của đường cong tính bằng Hz. Ví dụ 5.1: Thiết kế một bộ khuếch đại đơn tầng hoạt động ở tần số giữa là 455 kHz có băng thông 10kHz. Transistor có các thông số sau: gm = 0.04 (1/) hfe = 100, Cb’e = 1000pF và Cb’c = 10pF. Mạch phân cực và điện trở vào được chỉnh để ri = 5K và RL = 500. Giải: Để có băng thông 10kHz, áp dụng công thức ta được: 1 1 RC   2BW 2.10 4 h fe Qc Với R = ri//Rp//rb’e và ri = 5K, rb 'e   2500 , R P  Q c 0 L  gm 0 C Qc  R  5  10 3 // 2.5  10 3 // 0 C C 1   10 4  1    1   2 455  10 3 C     210 4 R  2  5000 2500 Qc  0.95  10 8 C 1  45.5 Q c 70
  20. Chương 5: Mạch cộng hưởng Điện dung tổng cộng ngõ vào: C  C'C b 'e  1  g m R L )C b 'c   C'1200pF 0.95  10 8 Do đó: C'1200  10 12  1  45.5 Q c Việc lựa chọn giá trị của Q để thỏa mãn phương trình này phải lớn hơn 45.5 để có điện dung giá trị dương. Ở 455 kHz tầm chọn điển hình giá trị của Q là 10÷150. Ta chọn Qc = 100, do đó C’ = 0.016ìF và C = 0.018 ìF. Chú ý rằng điện dung vào C thì giá trị điện cảm L được tính: 1 L  6.9H 02 C Ta có thể tính Rp: R p  Q c  0 L  2K . Vì thế R  ri // R p // rb 'e  910 Độ lợi dãy giữa: A im  g m R   0.04910  36.4 5.2. MẠCH CỘNG HƯỞNG NỐI TIẾP Ở tần số rất cao (f0 > 50MHz), mạch cộng hưởng song song dùng ở các thí dụ trên có Q thấp làm cho dãy thông rộng vì lý do sau: Nếu C’ không dùng và nếu ri, Rp và Rb vô hạn thì Qi có thể xấp xỉ bằng: Q i  0 rb 'e C b ' Nếu bỏ qua điện dung Miller, Cb’ ≈ Cb’e và 0 Qi 
nguon tai.lieu . vn