Xem mẫu
- BỘ CÔNG THƯƠNG
TRƯỜNG CAO ĐẲNG KỸ THUẬT CAO THẮNG
KHOA ĐIỆN TỬ - TIN HỌC
BỘ MÔN ĐIỆN TỬ VIỄN THÔNG
NGUYỄN DUY THẮNG
LẠI NGUYỄN DUY
NGUYỄN PHÚ QUỚI
GIÁO TRÌNH
ĐIỆN TỬ THÔNG TIN
TP. HỒ CHÍ MINH - 2018
(LƯU HÀNH NỘI BỘ)
- Mục lục
MỤC LỤC
CHƯƠNG 1 ..................................................................................................................... 1
MẠCH KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT ÂM TẦN......................................................... 1
1.1. KHÁI NIỆM VỀ KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT ............................................. 1
1.2. KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT LỚP A ............................................................. 2
1.2.1. Mạch dùng cuộn chặn ................................................................................... 2
1.2.2. Mạch ghép biến áp ........................................................................................ 8
1.3. KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT LỚP B ........................................................... 11
1.4. KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT DÙNG TRANSISTOR BỔ PHỤ .................. 15
BÀI TẬP CHƯƠNG 1 .................................................................................................. 17
CHƯƠNG 2 ..................................................................................................................... 1
ĐÁP ỨNG TẦN SỐ CỦA MẠCH KHUẾCH ĐẠI...................................................... 1
2.1. KHÁI NIỆM VỀ ĐÁP ỨNG TẦN SỐ ............................................................ 1
2.2. THANG ĐO DECIBEL ................................................................................... 1
2.3. ĐỒ THỊ BODE ................................................................................................. 2
2.4. PHÂN TÍCH ĐÁP ỨNG TẦN SỐ THẤP ....................................................... 6
2.4.1. Mạch có tụ ngõ vào ...................................................................................... 6
2.4.2. Mạch có tụ bypass ........................................................................................ 8
2.4.3. Mạch có tụ ngõ vào và ngõ ra ...................................................................... 9
2.4.4. Mạch có tụ hỗn hợp .................................................................................... 13
2.5. PHÂN TÍCH ĐÁP ỨNG TẦN SỐ CAO ....................................................... 13
2.5.1. Mạch tương đương tần số cao .................................................................... 13
2.5.2. Hiệu ứng Miller .......................................................................................... 16
BÀI TẬP CHƯƠNG 2 .................................................................................................. 20
CHƯƠNG 3 ................................................................................................................... 26
MẠCH LỌC TÍCH CỰC SỬ DỤNG OP-AMP ........................................................ 26
3.1. Khái niệm ....................................................................................................... 26
3.2. Mạch lọc tích cực thông thấp (Low Pass Filter – LPF) .................................. 27
3.2.1. Mạch lọc thông thấp bậc một ..................................................................... 27
3.2.2. Mạch lọc thông thấp bậc cao ...................................................................... 30
i
- Mục lục
3.3. Mạch lọc tích cực thông cao (High Pass Filter – HPF) .................................. 33
3.3.1. Mạch lọc tích cực thông cao bậc một ......................................................... 33
3.3.2. Mạch lọc thông cao bậc cao ....................................................................... 36
3.4. Mạch lọc thông dải (Band pass filter – BPF) ................................................. 39
3.4.1. BPF bằng cách kết hợp HPF và LPF .......................................................... 39
3.4.2. Mạch lọc thông dải BPF dùng cấu trúc đa hồi tiếp .................................... 42
3.4.3. Mạch lọc thông dải BPF dùng cấu hình Sallen-Key .................................. 43
3.5. Mạch lọc chắn dải (Notch filter hay BSF: Band stop filter) .......................... 44
BÀI TẬP CHƯƠNG 3 .................................................................................................. 46
CHƯƠNG 4 ................................................................................................................... 52
MẠCH DAO ĐỘNG..................................................................................................... 52
4.1. NGUYÊN LÝ HÌNH THÀNH DAO ĐỘNG ..................................................... 52
4.2. MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG KHI PHÂN TÍCH MẠCH DAO ĐỘNG ............ 53
4.3. CÁC MẠCH DAO ĐỘNG CƠ BẢN ............................................................. 56
4.3.1. Mạch dao động Hartley .............................................................................. 56
4.3.2. Mạch dao động Colpitt ............................................................................... 56
4.3.3. Mạch dao động dịch pha ............................................................................. 57
4.3.4. Mạch dao động cầu Wien ........................................................................... 60
4.3.5. Mạch dao động Clapp ................................................................................. 63
4.3.6. Dao động thạch anh (Crystal OSC) ............................................................ 64
BÀI TẬP CHƯƠNG 4 .................................................................................................. 67
CHƯƠNG 5 ................................................................................................................... 68
MẠCH CỘNG HƯỞNG .............................................................................................. 68
5.1. MẠCH CỘNG HƯỞNG SONG SONG ........................................................ 68
5.2. MẠCH CỘNG HƯỞNG NỐI TIẾP ............................................................... 71
5.3. TRUYỀN CÔNG SUẤT CỰC ĐẠI CHO TẢI ............................................. 73
5.4. MẠCH PHỐI HỢP TRỞ KHÁNG ................................................................ 74
BÀI TẬP CHƯƠNG 5 .................................................................................................. 76
CHƯƠNG 6 ................................................................................................................... 79
MẠCH ĐIỀU CHẾ TÍN HIỆU ................................................................................... 79
6.1. KHÁI NIỆM VỀ ĐIỀU CHẾ TÍN HIỆU ....................................................... 79
6.2. ĐIỀU CHẾ VÀ GIẢI ĐIỀU CHẾ THEO BIÊN ĐỘ ..................................... 79
ii
- Mục lục
6.3. ĐIỀU CHẾ THEO TẦN SỐ........................................................................... 83
6.4. ĐIỀU CHẾ THEO GÓC PHA ....................................................................... 88
6.5. CÁC KỸ THUẬT ĐIỀU CHẾ SỐ ................................................................. 89
BÀI TẬP CHƯƠNG 6 .................................................................................................. 92
TÀI LIỆU THAM KHẢO............................................................................................ 93
PHỤ LỤC ...................................................................................................................... 94
TỔNG QUÁT VỀ HỆ THỐNG ĐIỆN TỬ THÔNG TIN ......................................... 94
iii
- Chương 1: Mạch khuếch đại công suất âm tần
CHƯƠNG 1
MẠCH KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT ÂM TẦN
Trang bị cho sinh viên: Kiến thức về phân tích nguyên lý và tính toán các thông số công
suất các của mạch khuếch đại công suất âm tần.
1.1.KHÁI NIỆM VỀ KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT
Được thiết kế để cho tải có công suất lớn, không bị méo và trung thực.
Mạch khuếch Mạch khuếch
vi đại tín hiệu đại công suất RL
nhỏ
Hình 1.1. Sơ đồ vị trí mạch khuếch đại công suất
Phân loại: Mạch khuếch đại công suất
iC
được phân loại theo dạng sóng hình sin
đi qua cực C của transistor. ICQ
Có 4 loại chính:
Khuếch đại công suất lớp A: t
0
iC
Khuếch đại công suất lớp AB: ICQ t
0
iC
t
ICQ
Khuếch đại công suất lớp B:
0
iC
t
Khuếch đại công suất lớp C:
0
Hình 1.2. Phân loại mạch khuếch đại công suất
1
- Chương 1: Mạch khuếch đại công suất âm tần
Trong chương này chỉ nghiên cứu hai dạng mạch thông dụng nhất là khuếch đại lớp A và
khuếch đại lớp B.
1.2.KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT LỚP A
1.2.1. Mạch dùng cuộn chặn
Xét mạch khuếch đại công suất lớp A dùng cuộn chặn RFC như sau:
i
L→∞
C2→∞
C1→∞
iC
Rb RL
ri
ii
Re Ce→∞
VBB
Hình 1.3. Mạch khuếch đại công suất lớp A dùng RFC
Phân tích mạch:
Do L→ ∞ nên xem như ngắn mạch ở DC và hở mạch ở AC.
Phân tích DC: (ngắn mạch L)
VBB VBEQ
I CQ và VCEQ VCC R e I CQ
Rb
Re
DCLL: VCC v CE i C R e (RDC = Re) (1.1)
Phân tích AC: (hở mạch L)
RAC = RL
1
ACLL: iC I CQ .vCE VCEQ (1.2)
R ÂC
Điều kiện maxswing:
VCEQ
I CM min I CQ ,
max
R AC
2
- Chương 1: Mạch khuếch đại công suất âm tần
VCM max min VCEQ , I CQ .RAC iC
DCLL (-1/Rdc)
Giả sử: i C I cm sin .t
Thì i L I Lm sin .t I cm sin .t
ACLL (-1/Rac)
VCC VCC Q
Tại điểm Qmaxswing: I CQ ICQ
R ac R dc R e R L
vCE
RL
VCEQ I CQ .R ac VCC
Re RL 0 VCEQ VCC VCEQ + ICQRac
Lúc đó Q là trung điểm của đường ACLL. Hình 1.4. DCLL và ACLL
VCC
I CM I LM I CQ
Re RL
max max
Nếu Re
- Chương 1: Mạch khuếch đại công suất âm tần
v CE VCEQ v ce Vcc i c R L
và v L i L R L i c R L
Nếu dòng điện vào có dạng hình sin: i i I im sin .t
thì i c I cm sin .t
Biên độ dòng ic là Icm đạt giá trị bằng ICQ hay Icm ≤ ICQ.
Công suất nguồn cung cấp: không phụ thuộc vào dòng tín hiệu vào
2
VCC
PCC VCC I CQ (1.3)
RL
Công suất trên tải: vì iL = -ic nên ILm = Icm.
2
I 2Lm R L I cm RL
PL (1.4)
2 2
Công suất tiêu tán trung bình cực đại xảy ra khi Icm = ICQ
2 2
I CQ RL VCC
PL ,max
2 2R L
Công suất tiêu tán trên cực C:
2 2
VCC I cm RL
PC PCC PL (1.5)
RL 2
2
VCC
PC cực tiểu khi PL đạt cực đại: PC,min
2R L
2
VCC
PC cực đại khi không có tín hiệu vào: PC,max VCEQ I CQ
RL
P,
Hiệu suất:
PCC = PC + PL
2 RL
I cm 1I
2
PL
2 cm (1.6) 50%
PCC VCC I CQ 2 I CQ
PC
Hiệu suất đạt cực đại khi Icm = ICQ:
max 50% PL
Icm
0 ICQ
Hệ số sử dụng: (chỉ số chất lượng có ích)
Hình 1.5. Đồ thị công suất
4
- Chương 1: Mạch khuếch đại công suất âm tần
PC,max
2 (1.7)
PL ,max
Do đó, để cung cấp ra tải 25W thì chọn transistor có công suất tiêu tán là 50W.
Đường Hyperbol tiêu tán cực đại: Các thông số cần thiết khi chọn transistor công suất
khi thiết kế
Phải chịu dòng khoảng 2ICQ.
Điện áp chịu đựng VCE ≥ VCC.
Tần số hoạt động không nhỏ hơn tần số tín hiệu.
PC,max = VCEQ.ICQ
iC
max iC PC,max = vCEiC (sau khi suy giảm)
PC,max (trước khi suy giảm)
Vùng làm
việc an
toàn
vCE
0 BVCEO
Hình 1.6. Đường Hyperbol công suất
Để làm việc an toàn, điểm tĩnh Q phải nằm dưới đường hyperbol. Đường tải AC có độ
dốc (-1/RL) giao với trục vCE ở điện áp bé hơn BVCEO và giao với trục iC ở dòng nhỏ hơn
iC cực đại. Tức là:
2VCC BVCEO
2I CQ max i C
1
Để có maxswing đối xứng thì I CQ VCEQ kết hợp với phương trình (1), điểm tĩnh
L
R
Q tại vị trí:
PC,max
I CQ và VCEQ PC,max R L
RL
Tại điểm Q, độ dốc của đường hyperbol là:
i C I CQ 1
v CE VCEQ RL
5
- Chương 1: Mạch khuếch đại công suất âm tần
Ví dụ 1.1: Cho mạch như hình vẽ:
Transistor có PC,max = 4W,
BVCEO = 40V, iCmax = 2A, RL L→∞
= 10. Xác định điểm Q để C2→∞
công suất trên tải đạt cực đại.
Xác định nguồn cung cấp C1→∞
iC
VCC.
Rb RL
ri
ii
Re Ce→∞
VBB
Giải:
1 v
Vẽ đường có phương trình i C .v CE CE , điểm Q là giao điểm của đường này và
RL 10
đường PC,max =ICQ.VCEQ = 4. Từ hình vẽ, ta suy ra:
I CQ 4 0.63
10
VCEQ 4.10 6.3
Điện áp VCC được chọn ≈VCEQ nếu bỏ qua sụt áp trên Re:
VCC = 6.3V
vCE,max ≈ 12.6V < BVCEQ.
IC , A DCLL
1.26
0.63 Q PC, max =
4W
ACLL
0 6.3 12.6 vCE ,
V
Xác định công suất:
Công suất tiêu tán cực đại trên tải:
PL ,max
2
I CQ RL
0.63 10
2
2W
2 2
6
- Chương 1: Mạch khuếch đại công suất âm tần
Chọn Re, Rb và VBB:
Rb
R e , hơn nữa chọn Re nhỏ để công suất tiêu tán có thể bỏ qua. Ta
1
có thể chọn Re = 1.
PR e I CQ
2
.1 0.4W PC,max 4W
Chọn Rb sao cho: R b
1 .R e . Nếu = 40 thì Rb ≈ 4.
10
VBB ≈ 0.7 + (0.63)(1) = 1.33V
Thay đổi max iC = 1A. Nếu điểm Q không thay đổi thì max Icm = 0.37A. Do đó
i C 0.37 sin t A và công suất tiêu tán cực đại trên tải:
20.37 10 0.69W .
PL,max 1
2
Vì RL = 10 không đổi nên đường tải AC cũng không đổi. Tuy nhiên, nếu đường tải dịch
chuyển sao cho nó giao với trục iC tại điểm max iC = 1A, điểm Q tại:
ICQ = 0.5A và VCEQ = VCC = 5V.
Dòng điện iC = 0.5sint (A) và công suất tiêu tán trên tải:
20.5 10 1.25W
PL,max 1
2
Ta thấy rằng công suất trên tải tính được trong hai trường hợp trên luôn nhỏ hơn 2W. Đó
là bởi vì ta không thể bù sự suy giảm biên độ của dòng iC. Điều này sẽ được cải tiến trong
mạch khuếch đại ghép biến áp.
Ví dụ 1.2: Cho mạch như hình vẽ. Có RL =
10. Transistor có các thông số như sau:
PC,max = 2.5W
BVCEO = 80V L
VCE,sat = 2V C →∞
Xác định điểm Q để công suất trên tải đạt C →∞
cực đại.
Rb RL
ii
Ce
Giải: VB Re
→∞
Công suất trên tải cực đại khi dòng điện trên
tải đạt cực đại. Phương trình ACLL:
R L i C I CQ v CE VCEQ
Khi iC đạt cực đại:
iC = 2ICQ và vCE = VCE,sat.
7
- Chương 1: Mạch khuếch đại công suất âm tần
Do đó: R L I CQ VCEQ VCE ,sat iC , A
Để tránh hiện tượng quá công suất tiêu tán
trên collector, ta cho:
1.02
ICQVCEQ = PC,max
Giải hệ phương trình, ta được: RLICQ = VCEQ – VCE,sat
2
0.41
VCE ,sat PC,max VCE ,sat
I CQ
2R L RL 2R L
2 2 6.1 10.2 vCE, V
VCE ,sat VCE ,sat VCE,sat
và VCEQ PC,max R L ACLL
2 2
Tọa độ điểm Q: ICQ = 0.41A và VCEQ = 6.1V vì thế nguồn cung cấp:
VCC = 6.1 V
Chú ý: ACLL tiếp xúc đường Hyperbol không có nghĩa là công suất tiêu tán trung bình
vượt quá PC,max, vì công suất tiêu tán cực đại trên cực C chỉ xảy ra khi không có tín hiệu.
Vì Icm = 0.41A nên công suất trung bình trên tải:
PL,max 1 I CQ R L 1 0.41 10 0.84W
2 2
2 2
Hiệu suất cực đại (bỏ qua tiêu tán trên Re) là:
PL,max 0.84
max 33.6%
PCC 6.10.41
Hệ số sử dụng (chỉ số chất lượng có ích):
PC ,max 2. 5
2.98
PL ,max 0.84
1.2.2. Mạch ghép biến áp
Xét mạch khuếch đại công suất lớp A ghép biến áp như sau:
CC→∞ iC +
Rb iL
ii +
Re Ce→∞ RL
VBB vL
- -
Hình 1.7. Mạch khuếch đại công suất lớp A dùng biến áp.
8
- Chương 1: Mạch khuếch đại công suất âm tần
Giả sử biến áp là lý tưởng. Ta có:
vc = NvL (1.8)
và Nic = -iL
Ta được: vc(-ic) = vLiL
vc v
N 2 L N 2 R L R ' L
ic iL
Do đó trở kháng AC R’L nhìn vào biến áp là N2.RL. Phương trình DCLL và ACLL:
DCLL: VCC = vCE + iERC ≈ vCE + icRe
ACLL: vc = vce = -ic.R’L
iC DCLL
2ICQ
Q
ACLL
vCE
0 VCC 2VCC
Hình 1.8. Phương trình đường tải.
Nếu chọn Re sao cho R e R ' L thì dòng tĩnh để đạt maxswing là:
VCC
I CQ
R'L
Tính toán công suất:
Tính toán tương tự như phần trước, thay RL thành R’L. Tín hiệu vào ii có dạng hình sin:
i c I cm sin .t
Công suất nguồn cung cấp:
2
VCC
PCC VCC .I CQ
R'L
Công suất trên tải:
i L I Lm sin .t
I 2Lm
PL R L . Do ILm = N.Icm nên
2
9
- Chương 1: Mạch khuếch đại công suất âm tần
2
I cm
PL R 'L
2
Công suất tiêu tán trên Collector:
2
VCC I cm
2
PC
R ' L
R ' L 2
PC đạt cực đại khi không có tín hiệu:
2
VCC
PC,max VCEQ .I CQ
R'L
Hiệu suất:
2
1 I
cm max 50%
2 I CQ
Hệ số sử dụng:
PC,max
2
PL ,max
Ví dụ 1.3: Một transistor có PC,max = 4W, BVCEO = 40, max iC = 1A với mạch ghép biến
áp đến tải 10. Thiết kế bộ khuếch đại để có công suất trên tải đạt cực đại. Tính VCC, PL,
tỷ số biến áp N.
Giải:
Áp dụng các công thức đã học, ta được:
Pc,max 0.4 0.63
I CQ 2
(A)
N RL N2 N
VCEQ PC,max N 2 R L 6.3N (V)
Mạch ghép biến áp, có thể chọn điểm Q bất kỳ miễn là:
12.6
2I CQ 1 max i C
N
và 2VCEQ 12.6 N 40 BVCEO
Những bất đẳng thức này xác định giới hạn của N: 1.26
- Chương 1: Mạch khuếch đại công suất âm tần
PL,max = (1/2).(0.32)2.22.10 = 2W.
1.3. KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT LỚP B
Trong mạch khuếch đại lớp A, hiệu suất lớn nhất là 50% bởi vì giá trị đỉnh của dòng
collector Icm ≤ ICQ. Trong khuếch đại lớp B, dòng tĩnh ICQ < Icm vì thế công suất tiêu tán
collector thấp và hiệu suất tăng lên đến 78.5%.
iB2
iC2
VCC +
ii vL RL
-
iB1 iC1
Hình 1.9. Lớp B
Biến áp đảo pha cung cấp 2 tín hiệu ngược pha 1800 cho T1 và T2. Ngõ ra sẽ có dòng iC1
và iC2:
iL = N(iC2 – iC1) (1.9)
Hoạt động của mạch: trong bán kỳ đầu iB1 = 0 nên T1 được phân cực ở trạng thái tắt dẫn
đến iC1 = 0, còn iB2 > 0 nên T2 dẫn dòng iC2 có dạng như hình vẽ. Ở bán kỳ tiếp theo thì
T1 dẫn và T2 tắt. Như vậy dòng tải iL sẽ liên hệ với dòng iC1 và iC2 theo biểu thức (1.9) có
dạng như hình vẽ. iB1
ii Iim
t
Iim 0
t
-Iim iC1
Icm = hfeIim
Icm
iB2 t
Iim 0
t
0
ILm = NIcm
ILm
iC2
Icm t
Méo crossover 0
t
0 -ILm
Hình 2.10. Dạng sóng ra
11
- Chương 1: Mạch khuếch đại công suất âm tần
Đối với dạng mạch này, dòng tải sẽ bị méo xuyên 0, hiệu ứng này gọi là méo crossover.
Do mạch phân cực, khi không có tín hiệu vào thì vBE = 0, transistor hoạt động trong vùng
tuyến tính khi iB đủ dương để vBE ≈ 0.7V (đối với Si).
Để loại bỏ méo dạng này, mối nối BE được phân cực xấp xỉ 0.7V. Kết quả này làm mạch
trở thành loại AB hơn là loại B. Trong thực tế, người ta thường cho phép méo crossover
vì chúng sẽ bị lọc mất tại ngõ ra (do bộ lọc gồm transformer và điện dung phân bố ký
sinh).
Xác định đường tải:
iB2 iC2
RL
ii
VCC
Hình 1.11. Mạch tương đương
Do đặc tính của mạch, mỗi transistor hoạt động trong 1 bán kỳ nên chúng ta chỉ cần nghiên
cứu hoạt động cho 1 con transistor. iC2
DCLL
Xét hoạt động của transistor T2:
DCLL: vCE = VCC
ACLL
i 1
ACLL: C
vCE R' L vCE
0 VCC 2VCC
Hình 1.12. Phương trình ACLL
Trong khoảng thời gian T2 tắt, iC2 = 0 và vCE2 = VCC + NvL sẽ thay đổi từ VCC (khi vCE1
= VCC và do đó NvL = 0) đến 2VCC (khi vCE1 = 0 và do đó NvL = VCC). Vì thế khi transistor
tắt ACLL là đường nằm ngang iC2 = 0.
VCC
Như vậy max của iC1 và iC2 là I cm .
R 'L
Tính toán công suất: Giả sử tín hiệu vào là tín hiệu sin: i i I im sin .t
isupply
iC2 iC1 iC2
Icm 12
t
0 T/2 T 3T/2
Dạng sóng của nguồn cung cấp
- Chương 1: Mạch khuếch đại công suất âm tần
Công suất nguồn cung cấp:
1 T/2
PCC VCC i C1 t i C 2 t dt
T T / 2
1 T/2 2
mà T / 2 i C1 t i C 2 t dt I cm
T
2
PCC VCC I cm
Giá trị max của nó là:
2 V 2VCC2
PCC ,max VCC CC
R'L R ' L
Công suất trên tải:
1 2 1 2 2 1 2
PL I Lm R L I cm N R L I cm R 'L
2 2 2
2
VCC
Giá trị max của nó là: PL,max
2R ' L
P,ç
ç 78.5%
PCC
PL
Icm
Hình 1.13. Đồ thị công suất lớp B
Công suất tiêu tán trên Collector:
13
- Chương 1: Mạch khuếch đại công suất âm tần
Tổng công suất tiêu tán trên T1 và T2:
2
2
R' I
2PC PCC PL VCC I cm L cm
2
Giá trị cực đại của PC được tìm bằng cách vi phân PC theo Icm và cho bằng 0, ta
2 V
được: I cm CC
R ' L
Do đó, giá trị max của PC:
1 V V2
2
PC,max 2 CC 0.1 CC
R ' L R'L
Hiệu suất:
I R '
2
PL 1 2 R ' L I cm
cm L
PCC 2 VCC I cm 4 VCC
VCC
Hiệu suất đạt cực đại khi I cm . Khi đó:
R 'L
max 78.5%
4
Hệ số sử dụng:
VCC
2
PC,max 2
R ' L 2 1
2
PL,max 2
VCC 5
2R ' L
Nếu công suất tải PL,max = 25W thì mỗi transistor tiêu tán chỉ 5W. Một thuận lợi khác là
khi không có tín hiệu thì không có dòng tĩnh trong mạch (không tiêu thụ công suất).
Ví dụ 1.4: Thiết kế một mạch khuếch đại lớp B để cho công suất cực đại ở tải 10, biết
PC,max = 4W. Dùng hai transistor có: BVCEO = 40V, max iC = 1A. Tìm VCC, N và mạch
phân cực để tránh méo crossover. Tính toán công suất và hiệu suất.
Giải:
Công suất trên tải đạt cực đại:
2
VCC V I
PL,max CC cm
2R ' L 2
Công suất ra có thể tăng bằng cách tăng VCC và Icm. Tuy nhiên VCC và Icm không thể tăng
đến vô hạn. Transistor có các thông số giới hạn như sau:
VCC 1 BVCEO 20V
2
14
nguon tai.lieu . vn